模电第1单元自测题解答精要.docVIP

第1章 习题 一、填空题： N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素构成。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。 2. 双极型三极管 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经 老化不通 。 7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压 减小 ，反向电压 增大 。 8. 稳压管正常工作时应在 反向击穿 区；发光二极管正常工作时应在 正向导通 区；光电二极管正常工作应在 反向截止 区。 9. 晶闸管有阳极、 阴 极和 门控 极三个电极。 10. 晶闸管既有单向导电的 整流 作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管二。 （ ） （ ） 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10。 （ ） （ ） 。 （ ） （ ） 二极管工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ ） 。 （ ） （ ） （ ）三选择题： 单极型半导体器件是（ ）。 A、二极管 B、管 C、场效应管P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价 B、四价 C、五价 D、六价 二极管正常工作（ ）。 A、 B、 C、 D、 4. 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1Ω，说明该二极管（ ）。 A、 B、完好状态 C、 D、 5. PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 A、多子扩散 B、少子扩散 C、少子漂移 D、多子漂移 测得三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，三极管处（ ）。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、击穿区 （ ）。四题： 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。 2. 某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般不会造成二极管的永久损坏。 4. 图所示电路中，E=5V，V，二极管为理想元件，试画出u的波形。答：分析：根据电路可知，当uiE时，二极管VD导通，uo=ui，当uiE时，二极管截止时，uo=E。所以uo的波形图如下图所示： 5. 半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？ 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，根据三极管的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 6. 如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。 7. 有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2μA、0.5μA和5μA，在外加相同的电压时，电流分别是10mA、30mA和15mA。比较而言，哪个二极管的性能最好？ 答：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性能越好，所以综合来看，B管的性能最好。 8. 晶闸管与普通二极管、普通三极管的导通和截止的条件有什么不同？ 答：普通二极管正向偏置时导通，反向偏置时截止；普通三极管只要发射结正向偏置就会导通，发射结反向偏置或正向电压小于死区电压时均可截止；晶闸管加正向电压且门极触发晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受电压，晶闸管都处于状态晶闸管在导通情况下主回路电压（或电流）减小到于IH时，晶闸管关断。实际应用的晶闸管触发电路触发脉冲与主电路电压同步在晶闸管承受正半周电压内控极获得一个时刻相同正向触发脉冲否则由于每个正半周的控制角不同输出电压就会忽大忽小波动图所示电路中，=5V，V，二极管为理想元件，试ui画出uo的波形。 2. 由理