應用保護罩降低單脈衝放電生成奈米碳管電流之研究.pptVIP

在大氣下應用保護罩降低單脈衝放電生成奈米碳管電流 班級:碩研機械一甲 姓名:王者璿 指導教授:蘇嘉祥老師 前言 奈米碳管最早在1991年，由日本NEC公司的電子顯微鏡專家Iijima，在石墨電弧法產生C60的實驗中，以高解析電子顯微鏡(High Resolution Transmission Electron Microscope, HRTEM)觀察實驗產物時，意外發現由碳分子所組成的多壁同軸奈米管。 (實際研究需求多是單層的奈米碳管) 奈米碳管製成最主要為電弧法、化學汽相沉積法及雷射蒸發法三種，皆須於真空環境下進行，並於腔體內通入惰性氣體(氦或氫)而且需以特定方式混入一定比例或額外加工。 化學氣相沉積法優點:可得純度較高奈米碳管，節約能源;缺點則為形狀不整齊且必須製備催化劑 研究方向 以保護罩的放電加工方式，於大氣下以脈衝放電電流2.5A(Ip)與放電幅寬1400μs (τ)，石墨塊上生成奈米碳管，有效的降低系統的單脈衝放電電流。一套單脈衝的放電迴路與機構，以直徑5mm之尖錐狀石墨為電極，同時以快速成型的技術製作了錐狀的保護罩(ABS)，於單脈衝放電的操作下，以放電電流(Ip)與放電幅寬(τ)為製程的主要參數。外加保護罩的情形下，預設的加工位置上有大量且高密度之奈米碳管長出。 實驗步驟 微放電設備右圖，圓棒型的石墨電極連接正極並置於V型溝槽中，石墨棒直徑與長度各為5mm與150mm。電極前端利用自製電極角度修整器，將電極的前端修磨成一圓錐狀(60度夾角)，將石墨基材平版置於陰極(d)上。厚度與形狀會影響奈米碳管長成的結果，為了方便SEM的檢測，基材的大小多為小正方形。 右圖為保護罩,單脈衝放電時，將有限的碳分子維持於保護罩內。影響包括對整個生成奈米碳管技術及放電坑大小 實驗方向: 觀察有和無保護罩之單脈衝放電，各參數放電電流(Ip)在2.5以下及放電幅寬(τ)1200μs和1400μs各組合或其他可再用之參數在SEM放電坑內兩者比較及碳管生成變化 是否將石墨塊加熱再進行單脈衝放電進而觀察生成狀況之比較 換基材並鍍上碳膜長碳管之比較 是否再加惰性氣體 結論及未來展望 運用大氣利用微放電加工設備，主要特色於短時間、任意位置上生成奈米碳管，再更有效的將脈衝電流降低至Ip=2.5A以下，達到了節能及未來更具彈性和競爭力的趨勢及在放電坑的縮小上獲得了改善。 積體電路的基板材料目前多由矽晶圓製成，所以將奈米碳管直接生成於矽晶圓上，對於未來的應用將具有更高的競爭性。 參考資料:中國機械工程學會第二十八屆全國學術研討會論文集 論文編號D01-034 /zh-tw/%E7%A2%B3%E7%B4%8D%E7%B1%B3%E7%AE%A1 奈米碳管 Thank you for your attention * * *