1SiCMOSFET导通过程分析-电测与仪表.doc

大功率SiC MOSFET驱动电路设计 彭咏龙，李荣荣，李亚斌 （华北电力大学 电气与电子工程学院，河北 保定071003） 摘要：在实际工程应用的基础上，针对50kW/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。 关键词：SiC MOSFET；开关特性；驱动电路；双脉冲实验 中图分类号：TM3 文献标识码： 文章编号：1001－1390（2015）－0000－00 esign of high power SiC MOSFET driver circuit Peng Yonglong, Li Rong-rong, Li Yabin (School of Electrical and Electronic Engineering, North China Electric Power University, Baoding 071003, Hebei, China) Abstract: On the basis of project application, one kind of driver circuit for SiC MOSFET was discussed according to the requirements of 50kW/1MHz high power SiC MOSFET circuit, and the switching characteristics of SiC MOSFET. Through researching the process of opening the characteristics of SiC MOSFET in detail, come to make its reliable, safe driving requirements, to improve it in Si MOSFET driver circuit-based applications on existing mature, research for the job in the megahertz range of SiC MOSFET driver circuit. The basic characteristics of the driver circuit using double-pulse experiments verify the basic characteristics of designed driver circuit and determine the optimal parameters of the gate resistance. Keywords：SiC MOSFET, switching characteristics, drive circuit, double-pulse experiment 0 引 言 碳化硅（Silicon Carbride, SiC）是一种具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率等优越电学特性的材料[1-3]，与其他材料相比其更适合在高温、高功率和高频的特殊条件下工作，故该材料一经诞生就引起了人们的广泛关注。电力电子行业的发展一直与半导体器件的发展密切相关。在行业对高频化、大功率化提出更高要求的情况下，大功率高频感应加热技术对SiC MOSFET的应用也进入了积极探索阶段。 由于SiC材料的禁带宽度和击穿场强远高于Si等材料，故在相同的耐压水平下， SiC MOSFET的寄生电容远小于Si MOSFET，对驱动电路的寄生参数更加敏感。SiC MOSFET更适合在-2V～+20V的驱动电压下工作，与Si MOSFET的0V～+15V区别较大，而电压UGS变为负值时，GS两端的氧化层电容回增大，这会增加MOSFET开通及关断时所需的电荷量，从而影响开关速度。故完全套用Si MOSFET的驱动方式，来驱动SiC MOSFET是不合理的，而是应对SiC MOSFET驱动电路进行精心设计。 本文在对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细分析后，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。从实际工程应用的角度出发，对大功率高频感应加热电路的SiC MOSFET进行驱动电路开发设计，并采用双脉