影响γ能谱仪全能峰峰位置的因素张冬旭（光信息科学与技术专业复旦.docVIP

影响γ能谱仪全能峰峰位置的因素 张冬旭 （光信息科学与技术专业 复旦大学 0572413） 摘要 通过改变高压以及第一倍增极与阴极之间的电位差，观察137Cs的全能峰峰道址的变化，研究影响γ能谱仪全能峰峰位置的因素。经过实验观察，发现影响全能峰峰位置的因素有线性放大器的放大倍数、137Cs源与探头之间的间距以及光电倍增管内部分压电路各栅极间的电位差。对于固定的γ能谱仪，高压与全能峰峰道址成线性正相关的关系。 关键词 γ能谱仪 峰道址 高压 第一倍增极与阴极之间的电位差 引言 NaI（Tl）单晶γ能谱仪是通过γ光子与NaI（Tl）单晶的相互作用来探测γ光子的能量，它由γ能谱探头（由闪烁体与光电倍增管组成）和电子仪器两部分组成。射线与闪烁体相互作用产生的荧光光子打到光电倍增管的光阴极上产生光电子，这些光电子经光电倍增管内各极间电场加速和聚焦，最终在阳极输出电压脉冲。由于荧光光强与γ光子在闪烁体内消耗的能量成正比，而荧光光强又与光电倍增管阳极上输出的电压脉冲的幅度成正比，所以，γ光子在闪烁体内消耗的能量与光电倍增管阳极输出的电压脉冲幅度成正比，我们可以根据脉冲幅度来确定入射γ光子的能量。 阳极输出的电压脉冲经射极跟随器后，输出到线性脉冲放大器，放大后输出到单道脉冲分析器与定标器。单道脉冲分析器的功能是把线性脉冲放大器的输出脉冲按高度分类，这样在显示出来的能谱图上，道址就对应了能量。我们通过已知特征峰能量的样品对能谱图定标，进而知道导致对应的能量值。对于同一全能峰，改变仪器参数会使得相应峰道址发生变化，我们通过观察137Cs全能峰，来研究不同因素对峰道址的影响。 实验内容 1.1实验目的 研究高压变化以及第一倍增极与阴极之间电位差的变化对峰位置的影响 1.2实验装置 137Cs源；γ能谱仪；可变电阻（2MΩ）：连入光电倍增管分压电路，通过改变电阻值改变第一倍增极与阴极之间的电位差。 1.3实验方法 1.3.1 将放大器增益置于50，积分微分旋钮旋到0.5。将137Cs源置于探头前，正对探头并尽可能靠近探头，此后保持其位置不变。改变高压，采集同样的时间，得到不同高压下的能谱图，记录下不同高压下全能峰的峰道址。注意，高压的范围应保证全能峰落在道址512至1024之间，这样能够排除本底的影响，并保证能够从能谱图上读出全能峰的道址。 1.3.2 将放大器增益置于50，积分微分旋钮旋到0.5。将137Cs源置于探头前，正对探头并尽可能靠近探头，此后保持其位置不变。保持高压不变，将可变电阻接入光电倍增管的分压电路。改变电阻值，用万用表测量该电阻值，将可变电阻接入电路后，用万用表测量可变电阻两端电压。采集同样的时间。得到不同第一倍增极与阴极之间电位差下的能谱图，并记录下每个能谱图的全能峰峰道址。同样，应注意选取那些道址能落在512至1024之间的数据。 1.4实验结果 表1 高压对全能峰峰道址的影响 高压 / V 峰道址 485 895.3 478 811.0 470 717.9 461 623.4 453 553.6 446 495.9 表2 第一倍增极与阴极之间的电位差对全能峰峰道址的影响 电阻 / KΩ 电压 / V 道址 330 58.7 348.9 267 48.8 414.2 218 40.7 474.6 144 27.7 584.2 97.4 19.1 668.5 41.0 7.7 790.7 数据处理 将表1的数据作直线拟合，得到： 。其中：， ，； X是高压，Y是全能峰峰道址。 从拟合的结果来看，R=0.99734，这个线性已经比较好。可以说，全能峰的峰道址与高压成线性正相关关系。 同样，对表2作直线拟合。注意，我们研究的是全能峰峰道址和第一倍增极与阴极之间的电位差之间的关系，因此应该先对数据进行处理。我们测得的是电阻阻值以及电阻两端的电压值，这样就可以得到分压电路的电流值。再根据书上光电倍增管的分压电路图可知，第一倍增极与阴极之间的电位差即是可变电阻与一个100KΩ的电阻串联的分压。因此，第一倍增极与阴极之间的电位差,其中为可变电阻两端电压，R为可变电阻阻值。再对U与全能峰峰道址作直线拟合，得到： ，其中： ，，； X是第一倍增极与阴极之间的电位差，Y是全能峰峰道址。 结果与讨论 3.1线性放大器对全能峰峰道址的影响。在实验中，我们发现，当线性放大器的放大系数不同时，137Cs的全能峰峰道址也不相同。但这个因素并不是我们要研究的对象，因此为了避免放大系数对实验结果的影响，在实验中应该保持放大系数不变。 3.2电压对全能峰峰道址的影响。单独从实验的结果来看，高压以及第一倍增极与阴极之间的电位差都与全能峰峰道址成线性关系。但将两个实验结果结合起来看，却能发现矛盾之处。首先，从实验1.3.1我