矽-郭艳光.docVIP

指導教師:郭艷光(Yen-Kuang Kuo) 教授 學生:陳正忠 學號:8522026 系別:物理系 班級:四年級乙班 大 綱 介 紹 矽材料 矽材料之簡介 電子材料---矽 純矽晶片的製造 矽---對研究人員的挑戰 矽---過去與未來的材料 矽晶片材料對台灣材料產業的促進作用 多晶矽 多晶矽材料製品應用於半導體製程之特色 矽晶之基本結構 半導體級多晶矽之製造 多孔矽的光學性質 矽單晶的光學限制特性 砷化鎵材料 前言 砷化鎵時代的來臨 提高成品率 基板用砷化鎵單晶成長法 砷化鎵之一般特性 砷化鎵的高速特性 砷化鎵金屬-半導體場效電晶體(MESFET)及積體 電路 砷化鎵高速元件的應用 砷化鎵材料未來成長的展望 硒化鋅材料 簡介 未來發光二極體的發展著重於新顏色新材料的開發 藍光二極體 結論 參考文獻 矽 材 料 矽材料之簡介 矽係地表第二豐盛的元素(佔25.7 0/0),屬非金屬元素,原子數 14,週期表四A族,原子量28.086,電子價數4,3個穩定同位素,其 性質為暗黑色晶體(八面體有鑽石般的原子排列).非晶形為黑褐 色粉末,溶於硝酸及氫氟酸混合物及鹼中.不溶於水,硝酸,HCl.比 重2.33,熔點1420 0C,沸點2355 0C,莫氏硬度7,介電常數12,配 位數6,與氧結合成以Si原子為中心,周圍有4個氧原子的四面 體分子.除了不形成雙或三鍵及較不陰電性外,與碳類似.其來源 於自然界中並不游離存在,但為矽石及矽酸鹽(石頭,石英,砂,泥 土等)的主要成份.重要性質參見表一. (表一 矽之重要性質) Symbol Color Atomic Number Atomic Weight Crystal Structure Lattice Constant Silicon Radius Atomic Density Density Melting Point Specific Heat Thermal Conductivity Vapor Pressure Thermal Expansion Coefficient Relative Dielectric Constant Index of Refraction Energy Gap Intrinsic Carrier Concentration Electron Affinity Conduction Band Density of States Valence Band Density of States Lattice Electron Mobility Lattice Hole Mobility Average Optical Phonon Energy Optical Phonon Mean-free Path Si Blue-grey 1.4 28.09g/Mole Diamond 5.4307 1.18 5.02x1022atoms/cm3 2.328g/cm3 1412 0C 0.7J/g.K 1.5W/cm.K 10-7Torr(1050 0C) 2.6x10-6K-1 11.7 3.42 1.12eV 1.25x1010cm-3 4.05eV 2.80x1019cm-3 1.04x1019cm-3 1450cm2/V.s 500cm2/V.s 0.063eV 7.6nm(e);5.5nm(h) Intrinsic Debye Length Intrinsic Resistivity Donors Acceptors Hardness Poisson,s Ratio Tensile Strength in (111( Modulus of Elasticity in (111( Modulus of Elasticity in (110( Modulus of Elasticity in (100( 2.4m 2.3x105Ohm-cm P,As,Sb B 7Mohs 0.42 3.5x108N/m2 1.9x1011N/m2 1.7x1011N/m2 1.3x1011N/m2 電子材料---矽 矽之所以成功是起源於它無可限制的可用性,於絕對環境下 之相容性以及其特別的物理性質.作為半導體,它可理想地應用於 微電子學及太陽光電伏特的元件上,因為其化學性質可以被高度 純化且長成很大,近乎完美之晶體(相對於其他材料而言). 使用矽尚有一顯著的優點,就是它含有氧化物—二氧化矽 (SiO2