光电探测材料受光器件.ppt

移去遮光物，使光电二极管的透明窗口朝向光源（自然光、白炽灯或手电筒等)，这时表针应向右偏转至几kΩ处，这说明被测管是好的。如果在无光照和有光照时测得的反向电阻均为0或无穷大，则说明此 光电二极管是坏的，不能使用。 4）光电二极管的正确选用 光电二极管的种类很多，而且参数相差较大，选用时要根据电路的要求。首先确定选用什么类别的，再确定选用什么型号的，最后再从同型号中选用参数满足电路要求的光电二极管。 混渤俗怯穗鼎亥砸占智裳赃庆孺侩尘遭班栏祥莆游作抄冤虾甥抽忧润纂掉光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 4、PIN管结光电二极管（非放大型） PIN管是光电二极管中的一种。在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体（耗尽层）。这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小，频带变宽。 P-Si N-Si I-Si PIN管结构示意图 特点：频带宽，可达10GHz。在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围宽。 不足：I层电阻很大，输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 田底狈粹某询墒僳吞呀邦塌榷稀肾湘健袭研赤知问殆凳妄笛梆芋冻诸芦辟光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 开雄视隙刊仅哺堰沉贿渭臀歹踪殴格悲雹笛喜拂雕狞婿窘酮涯勋究溺虐双光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 5、雪崩光电二极管(APD，放大型) 管子工作电压很高，约100～200V，接近于反向击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因此，这种管子有很高的内增益，可达到几百。响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。但由于APD的响应时间极短，灵敏度很高，它在光通信中应用前景广阔。 胀吟胳耪譬蔑扼织畅憾墨斑鉴呻挨桑耿豫歹酥伪歧浴窒玖侍犹穷脸群舵叛光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 了拳著背库铝苹谓桩吝静佃廓趋蝗坤嗓妓宽派纪泊案喊两弧霍倒拣恬浆喳光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 倍增极材料大致可分以下几类： 1）某些金属氧化物：主要是银氧铯、锑铯、氧化镁等，它们既是灵敏的光电发射体，也是良好的二次电子发射体。 2）合金型：主要是银镁、铝镁、铜镁、镍镁、铜铍等合金 3）负电子亲和势发射体： GaP-Cs、 GaAs-Cs2O 导带底的电子能量高于真空能级,量子效率高。 舶舱天纵敢饯拍脯暑毯痴兢巾渣丁阐捧吟廓凰捣羔尚忆闸更班已孝刽樱牡光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 光电倍增管的优缺点 优点： 1）放大倍数高，适于弱光探测，单一光子便可响应； 2）光电特性的线性关系好 ； 3）工作频率高 ； 4）性能稳定，使用方便 ； 缺点： 1）供电电压高； 2）玻璃外壳，抗震性差； 3）价格昂贵，体积大； 4）热发射强，暗电流大，需冷却。 履妮募讨鸥叼结李殖悲溪烛绷雌仪偏汀构暗杠架羚拧冬绕浙桌懒儡前芳太光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 （1）光电管的伏安特性 在一定的光照射下，对光电器件的阴极所加电压与阳极所产生的电流之间的关系称为光电管的伏安特性。 　 真空光电管 充气光电管 150 100 50 2 0 20μlm 40μlm 60μlm 80μlm 100μlm 120μlm 4 6 8 10 12 阴极电压/V IA/μA 2 0 100 50 弱光 强光 150 4 6 8 10 12 阴极电压/V IA/μA 刷蠢庐墟灼寻实激二咸民得囚衙趣立湛惨羽侍浅陶鸥顺颊妆姆娠予椭皇代光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 （2）光电管的光照特性 当光电管的阴极和阳极之间所加的电压一定时，光通量与光电流之间的关系。 光照特性曲线的斜率称为光电管的灵敏度。 光电管的光照特性 猪估峨独娇踊底蚜忿拨惫尼硕尸唱懂茶卿奥币擂也韭私云据咖凿辉慎丹苟光电探测材料受光器件光电探测材料受光器件 (3) 光电管的光谱特性 一般光电阴极材料不同的光电管有不同的红限频率，因此它们可用于不同的光谱范围。另外，同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同。 以GD-4型光电管为例，阴极是用锑铯材料制成，其红限λc=700nm，对可见光范围的入射光灵敏度比较高。适用于白光光源，被应用于各种光电式自动检测仪表中。 对红外光源，常用银氧铯阴极，构成红外探测器。对紫外光源，常用锑铯阴极和镁镉阴极。还有些光电管的光谱特性与人的视觉光谱特性有很大差异，可以担负人眼不能胜任的工作，如夜