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多项式插理论
多项式插值理论
一、区间[a , b]上的一般插值理论 (从有限维子空间出发的逼近方法)
对无限维函数空间的一个元素f (x) 进行逼近,关于f (x) 的情况仅知道一部分
(1、若干点的函数值或导数值已知; 2、满足一些控制方程)
选择一个由固定基函数张成的有限维函数子空间
基函数性质:
选择 中的元素,在一定的约束条件下,使良好的逼近, 即 令= 关于在插值区间上有不大的误差(包括一定的光滑性逼近)。
良好逼近的判断
e.g. Tchebycheff 范数,|| f || = 称为一致逼近。
= 5 \* GB3 ⑤ 约束条件: (依据对的了解来确定)
= 1 \* roman i/ 插值约束
1 (a, b) 且互不相同;
= 2 \* roman ii/ 插值与光滑性混合约束
(1)、 1 (a , b) 且互不相同
(2)、 1 (a,b) 且互不相同
(3)、 的二阶导数存在
= 3 \* roman iii/ 变分约束 (以下两种约束不再具有严格的插值含义,这里可能仅知道被插函数满足某些控制方程)
依据|| f -||在中为最小的条件,即确定常数 使的解由下列形式的极小化问题得到:
|| f -|| = min{|| f-||:}
Note:这里的||·|| 不局限于切比雪夫范数和2-范数,可能是某种内积定义的范数;这也是固体力学求近似解的基本方法(如,有限元就是能量的变分)。
= 4 \* roman iv/ 正交约束
根据f-与n个给定基函数的正交条件,确定常数:
, 1。即
f -, 1
这是Galerkin方法的基础。
Note:
1)、约束条件可组合使用,如在有限元的计算中,构造位移形状函数时,应用插值或光滑性约束条件与变分约束的组合。
2)、仅对插值约束问题,实际构成求解下列方程组:
3)、若选取X= Span{ } 则称为Lagrange 多项式插值。
、Lagrange 多项式插值
1、多项式插值的一般定理
Weierstrass(维尔斯托拉斯)定理:
设[a , b]为任意给定的闭区间,为任意小常数,f (x)为 [a ,b]上的任意连续函数,则必存在一定的多项式Pn(x) 使得, || f- Pn||,|| · || 为切比雪夫型范数。
Bernstein(伯恩斯坦)给出下列 形式,可对任意连续函数f (x) 进行一致逼近。
; (等距离配点)
Pn(
Pn(x)
f (x)
f (x)
感兴趣的问题:
= 1 \* GB3 ① 若节点x0,x1, …… , xn 不断增多,Pn的阶次也随之增大,在保证,时,使逼近的光滑性变差,多项式出现“摆振”特性,从而使计算性质劣化,故一般不要选得阶次太高。
= 2 \* GB3 ② 在不改变节点数n 的情况下,可改变节点位置的配置,使得在一定范数条件下,获得对f (x)的最佳逼近。例如选择n个有规则的不等距配点,可使
2、Lagrange插值定理
在n+1个不相等的实数上,取被规定值的n次多项式Pn(x) 是存在且唯一的。意思是说,不论你用什么多项式形式或各种方法构造逼近函数,结果都是唯一的,都可化为统一的形式。这样,就有Lagrange 插值的标准基函数(Canonical Base Function):
li(x
li(x)
1
1
x5
x5
x6x4x1x2
x6
x4
x1
x2
x3
x0
① 第i个基函数在xi 点取值为 1,在 xj ( j≠i )的点取值为 0,即
② 在区间 [a,b]上为 n 次多项式。
= 3 \* GB3 ③ Pn 为基函数的线性组合,其系数为被插函数在型值点的函数值。(仅有典则基有此性质)。
= 4 \* GB3 ④ 称为n次多项式线性空间上的典则基。
= 5 \* GB3 ⑤ 还有许多多项式基函数,如{1,x,…xn}(并不满足插值系数就是函数点值的性质);
再如:正交多项式基:Legender 或 Tchebycheff 基等。正交多项式可类比Euchilid 几何空间上的正交坐标轴,在那里几何上的正交性是自然的;在函数空间中的正交多项式是指在内积定义下的正交性,如带权正交基函数定义为:
= 6 \* GB3 ⑥ 计算时如何选择基,则依据对计算的方便和高精度少运算量的原则来决定;在插值时用典则基比较方便。
注意:这里并不是分片插值基函数,而是全域上的;分片插值见下段。
3、误差估计(包括这种误差估计式)
4、分段拉氏插
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