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第七章 光电式传感7.1 光电效应7.2 光电元件7.3 光电传感器的应用第七章 光电式传感器光电传感器是利用光敏元件将光信号转换为电信号的装置.使用它测量非电量时,首先将这些非电物理量的变化转换成光信号的变化,再由光电传感器将光信号的变化转变为电信号的变化.光电传感器的这种测量方法具有结构简单,非接触,高可靠,高精度和反应速度快等特点.光电传感器是目前产量最多,应用最广的一种传感器,它在自动控制和非电量测试中占有非常重要的地位.7.1 光电效应光电元件的理论基础是光电效应.自然界的一切物质在环境温度高于0K以上时,都会产生光波辐射,光是波长约在100～0.01μm之间的电磁辐射,其光谱如图7-1所示.光也可以被看作是由一连串具有一定能量的粒子(称为光子)所构成,每个光子具有的能量正比于光的频率.所以,用光照射某一物体时,就可以看作这物体受到一连串能量为的光子所轰击,而光电效应就是由于这物体吸收光子能量为的光后产生的电效应.通常把光线照射到物体后产生的光电效应分为两类,即外光电效应和内光电效应.7.1 光电效应.图7-1 光谱范围7.1 光电效应7.1.1 外光电效应在光线作用下,电子获得光子的能量从而脱离正电荷的束缚,使电子逸出物体表面,这种效应称为外光电效应,这种现象称为光电发射.已知每个光子具有的能量为:式中 h ——普朗克常数 γ——光的频率 ( )7.1 光电效应当物体在光线照射作用下,一个电子吸收了一个光子的能量后,其中的一部分能量消耗于电子由物体内逸出表面时所作的逸出功,另一部分则转化为逸出电子的动能.根据能量守恒定律,可得式中 A0 ——电子逸出物体表面所需的功m ——电子的质量,v0 ——电子逸出物体表面时的初速度(7.2)7.1 光电效应式(7.2)即为著名的爱因斯坦光电方程式,它阐明了光电效应的基本规律.由上式可知:(1)电子能否逸出物体表面取决于光子具有的能量是否大于,而只与光的频率有关,因此电子能否逸出物体表面取决于光的频率,与光强无关,光强再大也不会产生光电发射.(2)如果产生了光电发射,在入射光频率不变的情况下,逸出的电子数目与光强成正比.光强愈强意味着入射的光子数目愈多,受轰击逸出的电子数目也愈多.基于外光电效应的光电元件有光电管,光电倍增管等.7.1 光电效应7.1.2 内光电效应物体受光照射后,其内部的原子释放出电子,这些电子仍留在物体内部,使物体的电阻率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应.内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应.1.光电导效应在光线的作用下,半导体的电导率增加,这种现象称为光电导效应,简称光导效应.从半导体物理学可知,半导体材料导电能力的大小取决于半导体内载流子的数目,载流子数目愈多,导电愈容易,即半导体材料的电导率愈大.7.1 光电效应通常半导体原子中的价电子是处于稳定(束缚)状态的,当价电子从外界获得足够能量后,就能从束缚状态变成自由状态,成为一个自由电子,同时在原来的位置上形成一个空穴,自由电子和空穴都能够参与导电,这样就增加了半导体材料的电导率.用光照射半导体时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度Eg,则禁带中的电子吸收一个光子就足以跃迁到导带,使被激发出来的电子成为一个自由电子,同时也产生一个空穴,从而增强了材料的导电性能,使材料的电阻值降低.一般来说,照射的光线愈强,阻值变得愈低,半导体材料的导电能力愈强.光照停止后,自由电子与空穴逐渐复合,电阻值又恢复到原值. 7.1 光电效应具有光导效应的材料称为光导体,除金属外,大多数半导体和绝缘体都具有光导效应,但都很小.实际上只有少数几种材料能制造光敏元件.基于内光电效应的光电元件有光敏电阻,以及由光敏电阻制成的光导管等.2.光生伏特效应在光线作用下能使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应.光生伏特效应可分为两类:7.1 光电效应(1)结光电效应.以PN结为例,当光照射PN结时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度Eg,则使价带的电子跃迁到导带,产生自由电子—空穴对.在PN结阻挡层内电场的作用下,被激发的电子移向N区的外侧,被激发的空穴移向P区的外侧,从而使P区带正电,N区带负电,形成光电动势.基于结光电效应的光电元件有光电池和光电晶体管等.7.1 光电效应(2)侧向光电效应.当光照射半导体光电器件的灵敏面时,光照部分吸收了能量便产生自由电子—空穴对,光照部分的载流子浓度比未被光照部分的载流子浓度高,因此在半导体材料中就产生了浓度梯度,这样由光照部分和未被光照部分的载流子浓度的不同而产生了电动势,这种效应被称为侧向光电效应.基于侧向光电效应的光电元件有位置光敏元件等.7.2光电元件7.2.1光电管1.