第7讲 BJ作原理与V-I特性曲线.pptVIP

模 拟 电 子 技 术;4 双极结型三极管及放大电路基础;4.1 半导体三极管BJT;4.1.1 BJT的结构简介;4.1.1 BJT结构简介;4.1.1 BJT结构简介;4.1.1 BJT结构简介;? 发射区的掺杂浓度最高；;外部条件：;发射结正偏，集电结反偏;电流分配关系;共基极放大电路;两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;三极管的三种组态;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：特征－IC明显受VCE控制 该区域内， IC和IB不服从β倍关系。 此时发射结正偏，集电结正偏。;共射极连接;　　测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。;N;1.电流放大系数; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM;4.1.4 BJT的主要参数;(3) 集电极最大允许功率损耗PCM;PC= ICVCE ;4.1.5 温度???BJT参数及特性的影响;如何判断三极管的三个电极;如何判断三极管的三个电极;①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型: 将万用表欧姆挡置 R × 100 或R×lk 处,先假设三极管的某极为基极,并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后