chapter14二极管和晶体管剖析2.pptVIP

电路如图，求：UAB（A、B两点开路） 例1： （1）取 B 点作参考点并断开二极管（忽略D正向压降） 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – a b 若VaVb时，D导通，UAB=－6V 若VaVb时，D截止，UAB=－12V VaVb 二极管导通 UAB =－ 6V 若不忽略D的正向压降， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V （2）比较 Va =－6 V Vb =－12 V （1）取 B 点作参考点，断开二极管 例2: 求：UAB B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – a b c Va=0V, Vc=－6V，Vb=－12V （2）比较 VaVb，D2导通，Vb=0V， VbVc，D1截止，Vb=0V保持不变 所以UAB=0V Va Vb，二极管导通，可看作短路 uo = 8V Va Vb，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3： ui 18V 参考点 D 8V R uo ui + + – – （1）取 B 点作参考点，断开二极管 a Va=ui，Vb=8V （2）比较 Vb Va b 14.4 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 使用时要加限流电阻 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 UZ IZ IZM ? UZ U I O ? IZ (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM UZ IZ IZM ? IZ U I O 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 晶体管的结构 (a)平面型； (b)合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化硅保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 (a) (b) N N P 14.5 半导体三极管 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； N N C E B P C E T B IB IE IC B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 集电结 发射结 发射区 集电区 基区 E 基极 发射极 B C 集电极 P P N 集电结 发射结 发射区 集电区 基区 E 基极 发射极 B C 集电极 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC B E C P P N EB RB EC RC 晶体管电流放大的实验电路 设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流