chapter4金属、半导体.pptVIP

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chapter4金属、半导体

* * 能带的形成 晶体中电子共有化的结果,使得晶体内电子的能量状态不同于孤立原子中的电子: 晶体内电子的能量可以处于一些允许的范围之内,这些允许的范围称为能带;不能处于两个能带之间的区域,此区域称为禁带。 以硅为例:每立方厘米的体积内有5×1022个原子,原子之间的最短距离为0.235nm,致使离原子核较远的壳层发生交叠,壳层交叠使电子不再局限于某个原子上,有可能转移到相邻原子的相似壳层上去,也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去,这种现象称为电子的共有化。 关于能带的形成,可以从晶体中各个原子的能级的相互影响来说明,在孤立原子中,原子核外的电子按照一定的壳层排列,每一壳层容纳一定数量的电子,且电子具有分立的能量值,也就是电子按能级分布。 孤立的原子,其轨道电子的能量由一系列分立的能级所表征; 原子结合成固体时,使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异,与此相对应的能级扩展为能带。 在单个原子中,电子具有分离的能级如 1s,2s,2p 等,如果晶体内含有 N 个相同的原子,那么原先每个原子中具有相同能量的所有价电子,现在处于共有化状态。这些被共有化的外层电子,由于泡利不相容原理的限制,不能再处于相同的能级上,这就使得原来相同的能级分裂成 N 个和原能级相近的新能级。 由于N 很大,新能级中相邻两能级的能量差仅为 10-22eV,几乎可以看成是连续的,N 个新能级具有一定的能量范围,通常称为能带。即:使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异,与此相对应的能级扩展为能带。 通常采用与原子能级相同的符号来表示能带,如1s 带,2p 带等! 能带结构 1、能带 n:带指标,用来标志不同的能带 对每一个给定的n ,本征能量包含着由不同k 取值所对应的许多能级,这些由许多能级组成的带称为能带 能带结构:在能带理论中,能量本征值的总体称为晶体的能带结构 满足电子能量 E 与波数 k 之关系方程的能量区域称作能带或允带—— 电子允许具有的能量范围。 相邻两个能带之间可能出现电子不允许有的能量间隙—— 能隙或称为禁带 电子能量 导带 价带 禁带 2、固体的导电机制 不同的晶体有不同的导电性,这与晶体内的电子在能带中的填充和运动情况有关! 原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满,然后再占据能量更高的外面一层的允许带。 晶体中的电子在能带中各个能级的填充方式,服从费密-狄拉克分布、泡利不相容原理,还要服从最小能量原理,电子从能量较低的能级依次到达较高的能级。按充填电子的情况,能带可以分成: 满带,价带(导带),空带,禁带 ?满带:晶体中最低能带的各个能级都被电子填满,这样的能带称为满带。 当满带中的电子从它原来占据的能级转移到同一能带中其它能级时,因受泡利不相容原理的限制,必有另一个电子作相反转移,总效果与没有电子转移一样——外电场不能改变电子在满带中的分布,所以满带中的电子不能起导电作用! 满带:被电子占满的允许带 满带 导带 导体 空带:若一个能带中所有的能级都没有被电子填入,这样的能带称为空带。 空带:每一个能级上都没有电子的能带 与各原子的激发态能级相对应的能带,在未被激发的正常情况下就是空带; 空带中若有被激发的电子进入,则空带就变成了导带。 带隙 空带 非导体 禁带:两个相邻能带间的间隔 ★禁带中不存在电子的定态; ★禁带的宽度对晶体的导电性起着 重要的作用。 带隙 空带 非导体 价带:由价电子能级分裂而形成的能带。 在绝缘体中,价电子刚好填满最低的一系列能带,最上边的满带——价带 带隙 空带 绝缘体 再高的各能带全部都是空的——空带 价带 ★通常情况下,价带为能量最高的 能带; ★价带可能被电子填满,成为满带; ★也可能未被电子填满,形成不满 带或半满带。 导体中,一部分价电子存在于不满带中,这种能带称为导带 满带 导带 导体 导带:由价电子所占据的较高能带一般没有被电子完全填满的能带 导带:部分能级为电子所填充的能带 导带中电子的转移 在外电场的作用下,导带中的电子可以进入同一能带中未被填充的稍高的能级,这个转移过程没有反向的电子转移与之抵消。所以导带中的电子具有导电作用。 3、导体、半导体和绝缘体的能带结构 电阻率为 10-8Ω·m 以下的物体为导体 电阻率为108Ω·m以上的物体为绝缘体 电阻率介乎上面两者之间的为半导体 ★孤立的原子,其轨道电子的能量由一系列分立的能级所表征; ★原子结合成固体时,这些原子的能级变扩展而形成能带; ★因为在原子内层能级上充满电子,所以相应的内层能带是满带→不参与导电; 一个固体是否导电取决于同价电子能级相对应的能带→价带是否被电子填满 ?(1)导体:能带结构有三种形式 形式1:价带中只填充了部分电子,在外加电场作用下,这些电子很容易在该能带中从低能级跃迁到较

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