第六章 半导体二极管与其应用电路.pptVIP

* 3、稳压电路 正常稳压时 VO =VZ end 6.5.2 变容二极管 结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 符号 利用PN结电容效应的二极管，称为变容二极管（Varicap Diode）或调谐二极管（Tuning Diode）。 由于PN结的反向电流小，PN结的反向势垒电容损耗较小，所以变容二极管正常工作在反向偏置状态。 end NE602 是内含本地振荡的单晶片变频器，在超外差式接收机或发射机中，它可以扮演 变频器的角色，独挑中频线路。 超外差式接收机输入电路 6.5.3 光电二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 光电二极管是一种光探测器，能够将光转换成电流或电压。 结构与普通二极管相似，只是光电二极管的制造和封装允许光照射到PN结（或PIN结）上。 当具有足够能量的光子撞击PN结耗尽区的价电子时，激发出电子-空穴对。在内电场作用下电子漂移到阳极，空穴漂移到阴极，形成光电流。 end 光纤数据接收器： MAX4206----对数放大器 动态范围宽（5个数量级） 6.5.4 发光二极管 在正向电压作用下，P区的空穴、N区的电子被驱赶到耗尽区，电子与空穴相遇复合，电子释放能量，发出光子。 符号 光电传输系统 end * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * 扩散电容示意图 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不相同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 end * 6.2.4 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿—可逆 * 当掺杂浓度很高时，耗尽层宽度很窄，在不大的反向电压作用下，形成很强的内电场(2×107V/m)，直接将价电子从原子的共价键中“拉”出来，产生大量的电子-空穴对，于是反向电流急剧增大，这种击穿称为“齐纳击穿”。 当掺杂浓度较低时，耗尽层宽度较宽，内电场较小，不能发生齐纳击穿。 但是，当反向电压达到足够大时，内电场使来自P区的电子的漂移速度不断增加，获得足够的动能，撞击共价键中的价电子，使其获得足够的能量，摆脱共价键的束缚，产生电子-空穴对。 自由电子再次加速获得足够的动能，再次撞击其他价电子，产生雪崩式倍增的电子-空穴对，致使反向电流迅速增大，发生PN结反向击穿。因此，这种击穿称为“雪崩击穿”。 end * 6.3 半导体二极管 6.3.1 半导体二极管的结构 6.3.2 二极管的伏安特性 6.3.3 二极管的主要参数 * 6.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 1、点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 * （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 2、面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 end * 6.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 * 硅二极管：Vth=0.5 V左右 锗二极管：Vth=0.1 V左右 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 * 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 * 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV，即具有负的温度系数。 温度增加，二极管电流增加，特性曲线左移。 end 6.3.3 二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几