FH14-材料的电学性能1剖析2.ppt

材料性能学 付华 石家庄铁道大学 第二部分 材料的物理性能 第14章 材料的电学性能 14.1 导电性能 14.2 热电性能 14.3 半导体导电性的敏感效应 14.4 介质极化与介电性能 14.5 绝缘材料的抗电强度 14.1 导电性能 电子填充的性质及能带结构； 电阻对材料的组织结构变化十分敏感。 14.1.1 导电机理 ①经典自由电子理论 Enrico Fermi （1901-1954 ） 生于意大利罗马，美国物理学家。 兼具杰出的理论家和天才试验家。 “中子物理学之父”。 1934年用中子轰击原子核产生人工放射现象，“慢中子”更易引起核反应。 1938年诺贝尔物理奖 。 1941年底，费米在哥伦比亚大学 主持建造世界上第一座原子反应堆。 1fm=10-15m 电阻的形成： 电子波在传播过程中被点阵离子散射后相互干涉→→→电阻。 能带填充： 二、无机非金属导电机理： 陶瓷、玻璃、高分子材料 14.1.2 超导电性 1911年，Onnes，水银，T=4.2K, R=0 T＜Tc→→R=0， 超导体是等电位的， 无电场（内） 2、性能指标： ①T＜Tc(临界转变温度) 14.1.3 影响材料导电性的因素 温度、成分、结构、杂质及缺陷浓度和迁移率。 ①TΘD, ρ=ρ0(1+α△T), α：电阻温度系数，4×10-3/℃ 2、冷塑变： 点阵畸变，晶体缺陷/空位↑→散射↑→ρ↑； 14.1.4 电阻测量及应用 1.单电桥法： 误差较大（附加电阻大）适用1～10Ω试样。 5、直流四端电极法：半导体电阻 应用： 3、电位差计法： 待测回路无电流通过，完全消除附加电阻的影响，精确度比双电桥法更高（0.001级） 4、安培—伏特计法：Rx=U/I 快速、方便 要选用大阻值毫伏计，小阻值试样（Ar转变） * * I=U/R R=ρL/s ρ：电阻率（Ω·m） ρ≤10-2Ω·m→→导体 ρ1010Ω·m→→绝缘体 10-2 ~1010Ω·m→→半导体 物质导电性差异显著---结构： 一、 金属及半导体的导电机理 ②量子自由电子理论 ③能带理论 解释： 导电机理：电流的产生； 电阻的产生。 1、经典电子理论： 正离子： 价电子： 电阻的产生： 自由电子与正离子碰撞。 形成均匀的电场。 完全自由地分布、运动, 类似经典力学气体分子运动。 一、 金属及半导体的导电机理 导电机理：外电场作用下，自由电子定向运动。 存在问题： ① n越大，σ↑，但2/3价金属的导电性比一价差。 ②据气体动力学，电阻率ρ应该正比于T1/2， 但实际上ρ∝T。 ③ 不能解释超导现象 （认为0K时自由电子能量为0）。 υ：电子平均运动的速度 ， n：单位体积内的自由电子数， l：电子两次碰撞的平均距离（自由程） 电导率σ： t: 相邻电子2次碰撞的时间间隔。 Rf Ac Ra Fr Rn At Po Bi Pb Tl Hg Au Pt Ir Os Re W Ta Hf La Ba Cs Xe I Te Sb Sn In Cd Ag Pd Rh Ru Tc Mo Nb Zr Y Sr Rb Kr Br Se As Ge Ga Zn Cu Ni Co Fe Mn Cr V Ti Sc Ca K Ar Cl S P Si Al Mg Na Ne F O N C B Be Li He H 0 Ⅶ Ⅵ Ⅴ Ⅳ Ⅲ Ⅱb Ⅰb Ⅷb Ⅶb Ⅵb Ⅴb Ⅳb Ⅲb Ⅱ Ⅰ ⅠA族：高σ。 周期系中各元素ρ的变化规律： ⅡA族，ⅢA族： σ降低。 ⅠB→ σ ↑ ↑ ↑最高σ 。 AgCuAuAlMgCaNa 2、量子力学自由电子理论 内层电子：处于单个原子时的能量状态。 正离子： 价电子： 均匀的电场。 自由运动，服从量子力学规律，具有 量子化能级，电子波（波函数）。 K：波数频率，表征自由电子具有的能量状态的参数。 薛定谔,电子波运动： 一价金属自由电子的动能E： 不同能级下只存在一对正反方向运动的一对电子。 费米（Fermi）能级Ef ：0 k时电子具有的最高能级； 不同金属有不同的固定值。 电子由低到高 填满能级。 在0 k，自由电子仍具有能量。 （经典电子理论认为0 k时电子能量为0）。 无外电场E→ 电子分布对称，无电流 加外场E， 电子沿+E方向被加速。 绝大多数电子仍对称，不参与导电。 只有接近Ef的少量电子激发到空能级上参与导电（正向运动E↓） E+ - 导电机理 E+ - 超导现象： 温度0 k，纯理想完整晶体→散射为0， 电子波无阻传播，→→R=0 缺陷、杂质、热振动→