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离子注入实验报告 材料科学与工程 1 实验目的：（1）了解离子注入原理，掌握注入完成后的退火仪器原理及操作。 （2）学会在样品上制作欧姆接触，四探针法测量样品退火前后的薄层电阻；用热电笔法测量退火前后样品的导电类型，熟悉霍尔测量的原理和装置。 2 离子注入原理： 离子注入是利用某些杂质原子经离化后形成带电杂质离子，离子经过一定的电场加速，直接轰击靶材料实现掺杂或其他作用。一般的说,离子能量在1－5KeV的称为离子镀；0.1-50KeV称作离子溅射；10－几百KeV称为离子注入。离子注入在半导体掺杂领域有很多优点：注入杂质不受把材料固溶度的限制，杂质的面密度和掺杂深度精确可控)，横向扩散小，大面积均匀性好，掺杂纯度高，能够穿透一定的掩蔽膜，在化合物半导体工艺中有特殊意义。同时离子注入还可应用于金属改性和加工，生物研究等领域。 3离子注入设备 离子注入设备通常由离子源、分析器、加速聚焦体系统和靶室等组成。如下图所示： 1．离子源：由产生高密度等离子体的腔体和引出部分（吸极）组成。通常使用的有高频等离子源、电子振荡型等离子源（潘宁源）、双等离子源等、双彭源、转荷型负离子源、溅射型负离子源等。 2．加速器：产生强的电场，将离子源出来的离子加速到所需要的能量。 3．分析器：离子分选器。离子源产生的离子束中往往有几种离子。用分析器可以从这些离子中选择出所需要的。 磁分析器：在离子通道上加磁场，离子在磁场中偏转。磁场一定时离子在磁场中的运动半径由离子的荷质比和能量决定。让选中离子的偏转半径正好可以准直地进入管道。 4．偏转扫描 离子注入机中应该保持高真空。实际上其中不可避免的有残留的气体分子，离子在行进过程中可能和其碰撞并且交换电荷变成中性原子。中性原子的能量、电荷属性和离子不同，注入到靶材料上会引起注入不均匀。 偏转扫描是在离子束进入靶室前给其施加电场，电场使其中的离子偏转进入靶室，中性原子则不被偏转而不进入靶室。从而去掉了中性粒子。 5．X,Y扫描器 离子束束斑很小，一般只有微米量级。给离子束施加磁场或电场，使其在X,Y方向扫描。在靶上均匀扫描。 6．靶室 放置、取出样品。可以有给样品加温的装置。 4 实验内容： 由小组四人合作完成以下内容： （a）A角的任务：完成接收样品；用四探针法测量样品退火前后的薄层电阻；用热电笔法测量退火前后样品的导电类型。记录：样品的注入条件；样品退火前后的薄层电阻；退火前后样品的导电类型；上述活动中的现象。 （b）B角的任务：熟悉退火仪器的原理和操作；操作退火装置，完成样品的退火；归置退火装置。B角应该记录：样品的退火条件；退火过程。 （c）C角的任务：练习在硅片上用铟制作欧姆接触，能够在正式样品上制作出合格的欧姆接触。C角应该记录上述活动的过程。 （d）D角的任务：熟悉霍尔测量的原理和装置；负责操作霍尔测量装置测出样品的数据。D角应该记录：样品的薄层电阻；注入层载流子的面密度。 4．1四探针及冷热笔测量 4.1.1实验样品： P型Si衬底上注P。注入条件：E=20keV 、D=3*1014 atom/cm2、束流10mA、RP=253、ΔRP=119 4.1.2四探针法测量原理 四探针法是经常采用的一种，原理简单，数据处理简便。 上式中C为修正因子，它与样品的形状及四探针的位置有关，探针确定以后，对一定形状的样品，C就是一个常数。 对于厚度为ts的薄片样品，通常以方块电阻来估计电阻率的高低，两者之间有如下简单关系： ρ= R□?ts 4.1.3冷热笔测量原理 从统计物理的角度，可以将平衡状态下半导体看作一个等温、等容的系统。其中载流子和电离原子实构成了一个电中性平衡系统。近似可以将载流子看成近独立的电子气或者是近独立的空穴气。当给半导体的一部分区域加热的时候，载流子就会由高温区域向低温扩散。相当于给载流子系统施加了一个非静电力，这个非静电力推动载流子在半导体内部由高温区域向低温区域运动。由于载流子本身带电，于是就会在高温区域和低温区域之间形成电动势。如果这时在半导体高温和低温之间连接闭合回路，则回路中就出现电流。通过上面的分析我们知道，在半导体内部，温度差永远是驱动载流子从高温端向低温端流动。那么在外电路，应该是载流子从低温端流向高温端。如果载流子主要是电子，在外电路就会有由低温端到高温端的电子流，即外回路中的电流由高温端到低温端。如果载流子主要是空穴，则外回路中的电流相反。 冷笔和热笔跟半导体接触，在冷热笔之间会有电流通过。通过冷热笔之间的电流计显示的电流方向就可以判断半导体的导电类型。 4.1.4实验步骤 退火前后冷热笔和四探针测量 1、清洗样品 (1)用酒精棉球轻轻擦洗样品表面。 (2)将样