第五章磁电式传感器1汇总辨析.pptVIP

3.3.2 金属薄膜磁敏电阻的结构与工作原理 3.3.3 金属膜磁敏电阻的技术参数 下述金属膜磁敏电阻技术参数测试条件为：电源电压V0=5V,磁场强度H=500Oe,磁场角度变化范围θ=0o-90o。 对三端型器件：全电阻最小值500欧,最大值5000欧,典型值l400欧；中点电压最小值2.45V,最大值2.55V,典型值2.5V；输出电压最小峰值60mV，典型值80mV；功率150mW。 对四端桥型器件：全电阻最小值lOOO欧,最大值5000欧,典型值2500欧；中点电压最小值2.45V,最大值2.55V,典型值2.5V；输出电压峰值最小值l20mV，典型值l60mV；消耗功率300mW。 金属膜磁敏电阻工作温度范围：-40-+100oC,贮存温度范围：-50-+150oC。 3.3.4 金属膜磁敏电阻的特点及其应用 1.金属膜磁敏电阻的特点 （1）灵敏度高：平均角度灵敏度：土lmV/1o（三端型）,土2mV/1o（四端型）。 （2）温度特性好：电阻值、输出电压与温度均呈线性关系，补偿容易。 （3）频率特性好：信号频率小于l0MHz时即可保持输出不变。 （4）灵敏度与磁场方向有关：磁场平行于金属膜时灵敏度最好，垂直于金属膜时没有磁敏特性。 （5）饱和特性：磁场强度小于临界值时，电阻率与磁场大小有关；大于临界值时,电阻率达到饱和。 （6）倍频特性：由式(3.7)可以看出，输出电压