TechnicalProgram-日本結晶成長学会.PDFVIP

Technical Program 7th May, 2015 Thursday 東北大学片平さくらホール 2F Opening (13:00 - 13:10) 三宅 秀人（三重大学） Session I: 基調講演 座長： 三宅 秀人（三重大学） P-1, 13:10 - 14:00 （基調講演） 窒化物半導体の開発経緯とその将来 東北大学金属材料研究所 松岡隆志 Session II: チュートリアル講演 座長： 福山 博之（東北大学） T-Th-1, 14:00 - 14:45 （チュートリアル講演） ワイドギャップ半導体電子デバイス 京都大学大学院工学研究科 須田 淳 Coffee break (14:45 - 15:00) Session III: 招待講演 座長： 福山 博之（東北大学） I-Th-1, 15:00 - 15:30 （招待講演） MOVPE 法によるInGaN 加圧成長とRAS 法によるその場観察