PN结的物理特性—实验报告.pdf

半导体PN 结的物理特性实验报告 姓名：陈晨 学号：12307110123 专业：物理学系 日期：2013 年12 月16 日 一、引言 半导体PN 结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN 结的伏安特 性是半导体物理学的重要内容。本实验利用运算放大器组成电流- 电压变换器的方法精确测 量弱电流，研究PN 结的正向电流I，正向电压U，温度T 之间的关系。本实验桶过处理实 验数据得到经验公式，验证了正向电流与正向电压的指数关系，正向电流与温度的指数关 系以及正向电压与温度的线性关系，并由此与计算玻尔兹曼常数k 与0K 时材料的禁带宽度 E，加深了对半导体PN 节的理解。 二、实验原理 1、 PN 结的物理特性 （1）PN 结的定义：若将一块半导体晶体一侧掺杂成P 型半导体，即有多余电子的半导体， 另一侧掺杂成N 型半导体，即有多余空穴的半导体，则中间二者相连的接触面就称为PN 结。 （2 ）PN 结的正向伏安特性：根据半导体物理学的理论，一个理想PN 结的正向电流I 与正 eU 向电压U 之间存在关系 I I (ekT  1)①，其中I 为反向饱和电流，k 为玻尔兹曼常数，T S s eU 为热力学温度，e 为电子电量。在常温（T=300K ）下和实验所取电压U 的范围内， kT e  1 eU eU 故①可化为 I I ekT ②，两边取对数可得 lnI lnI  。 s s kT （3 ）当温度T 不变时作lnI-U 图像并对其进行线性拟合，得到线性拟合方程的斜率为e/kT， 带入已知常数e 和T ，便得玻尔兹曼常数k。 2、反向饱和电流Is （1）禁带宽度E：在固体物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量 差距。对一个本征半导体而言，其导电性与禁带宽度的大小有关，只有获得足够能量的电 子才能从价带被激发，跨过禁带宽度跃迁至导带。 E  （2 ）根据半导体物理学的理论，理想PN 结的反向饱和电流Is 可以表示为  kT I I T e s 0 eU E ③，代入②得  kT ，其中I 为与结面积和掺杂浓度等有关的常数，γ取决于少数 I I T e 0 0 载流子迁移率对温度的关系，通常取γ=3.4，k 为玻尔兹曼常数，T 为热力学温度．E 为0K eU  E 时材料的禁带宽度。两边取对数得 ln