ZnO纳米材料的制备及性能研究.pdf

中文摘要 摘要 ZnO 作为一种宽禁带直接带隙 II-VI 族半导体材料，室温下 ZnO 的禁带宽度 为 3.37 eV，激子束缚能高达 60 meV，是一种适合于室温或更高温度下的紫外发 光材料；同时 ZnO 又具有很高的导电、导热性能和化学稳定性，所有这些性质使 得氧化锌在透明导电膜、变阻器、太阳能电池材料和体声波器件等领域具有广阔 的应用前景，因而氧化锌材料的制备、形貌的控制与应用研究成为当前研究热点 的之一。 本论文利用水热法和直接化学沉淀法，成功制备了颗粒状、棒状、片状和花 瓣状等结构的氧化锌，并对其形成机理和光学性能进行了初步研究。具体内容如 下： 1． 在水热条件下，以氯化锌为原料，利用不同结构的有机胺（乙胺、二乙胺、 三乙胺和乙二胺）既作为碱源又作为晶体生长控制剂，通过控制有机胺的 用量来控制氧化锌的形貌。对氧化锌样品用 XRD，TEM/SEM 进行了表征，研 究结果表明：在不同的有机胺用量下，都可以得到六方纤锌矿结构的颗粒 状和棒状氧化锌。同时，对不同结构的有机胺在氧化锌合成过程中的作用 进行了初步研究。 2 ． 利用低温液相直接沉淀法，以不同的锌盐 (醋酸锌、氯化锌、硫酸锌、硝酸 锌)和氢氧化钠为原料，在不同的醇（甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、丙三 醇）溶剂中，研究诸因素 （反应物浓度、反应时间、反应温度、反应溶剂 种类等）对反应产物的影响。XRD 、TEM、SEM 测试结果表明：在不同条 件下，成功制备了六方纤锌矿结构、分散性良好、尺寸均一的 8 nm 左右的 氧化锌颗粒，还得到了棒状、片状、花瓣状等不同纳米结构的氧化锌；讨 论了不同反应条件对氧化锌形貌的影响。 3 ． 水热法和液相化学直接沉淀法制备的氧化锌，在室温下的光致发光光谱表 明：在不同实验条件下制备的氧化锌，主要发光峰相似，均具有较好的蓝 光和绿光发光性能；通过EDS 能谱分析，对氧化锌主要发光峰进行了发光 机理的初步探讨，认为氧空位和锌填隙是氧化锌发光的主要原因；紫外吸 收光谱表明，室温下制备的氧化锌纳米颗粒具有很好可见光透性和紫外吸 I 中文摘要 收性能。 关键词：氧化锌；纳米晶；合成；光学性质 II Abstract Abstract Zinc oxide (ZnO) is a wide direct band gap II-VI semiconductor material, with a band gap energy of 3.37 eV at room temperature. It has a very high exciton binding energy (60 meV), which allows UV photoluminescence to occur even at room temperature. It is a potential material for the next generation UV and blue semiconductor optoelectronic devices; Furthermore, it has a high electrical conductivity, remarkable thermal and chemical stability, which rends it suitable for many applications such as transparent conductive film, rheostat, solar cells material and bulk acoustic wave devices. The co