GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管 - 光子学报.PDFVIP

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2017-06-15 发布于天津
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GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管 - 光子学报

第卷第期光子学报４２７　　　Ｖｏｌ．４２Ｎｏ．７年月　　　　　　　　　　　　２０１３７Ｊｕｌ２０１３ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡｙ：／犱狅犻１０．３７８８ｚｘ０７５７ｇＧａＮ垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管李正凯，严启荣，罗长得，肖汉章，章勇（华南师范大学光电子材料与技术研究所，广州５１０６３１）摘要：针对单蓝光波长芯片与３＋黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足ＹＡｌＯ ∶Ｃｅ　３５１２的问题，提出了采用双蓝光波长芯片激发３＋黄光荧光粉实现高显色性白光发射法，ＹＡｌＯ ∶Ｃｅ３５１２并分析了其可行性利用金属有机化学气相沉积系统在（）蓝宝石衬底上顺序生长两个．０００１Ｉｎ０．１８／量子阱和两个／量子阱的双蓝光波长发光二极管，并对不同ＧａＮＧａＮＩｎＧａＮＧａＮＧａＮ０．８２０．１２０．８８垒层厚度的双蓝光波长发光二极管的光电性能进行分析，结果表明沿ｎＧａＮ到ｐＧａＮ方向减小垒层厚度能实现双蓝光发射，并有较好的发光效率交流阻抗谱结果显示相关双蓝光波长发ＧａＮ．光二极管可以用一个电阻与电容并联后与一个串联电路来模拟，垒层变化能调节犚ｐ犆ｐ犚ｓＧａＮ并联电阻和电容，对串联电阻没有影响此外，基于垒层减小的双蓝光波长芯片激发．ＹＡｌＯ ∶ ３５１２３＋荧光粉实现了高显色指数的白光发射Ｃｅ．关键词：；垒层厚度；／量子阱；双蓝光波长ＧａＮＩｎＧａＮＧａＮ中图分类号：文献标识码：文章编号：（）Ｏ２４２．１Ａ１００４４２１３２０１３０７