MI3221014集成电路制造技术.doc - 微电子学院微电子实验教学中心 ....DOC

《集成电路制造技术》教学大纲 课程编号： 课程名称：集成电路制造技术 英文名称：Manufacture Technology of I学时： 学分：课程类型：选 课程性质：专业课 适用专业：先修课程：开课学期： 开课院系：微电子学院 双极型MOS集成电路制造工艺流程，新工艺新技术本课程。(一) 晶体生长和晶片制备（2学时）基本要求 了解Czochralski晶体生长，区熔晶体生长晶片的制备，晶体定向。 重点、难点 重点：晶体生长晶体定向。难点：衬底材料的制备技术。(二) 扩散（学时） 基本要求掌握杂质扩散机构，扩散系数，扩散流密度，扩散方程，恒定表面源扩散，有限表面源扩散氧化性气体对扩散影响横向扩散。重点、难点 重点：扩散。难点：扩散系数与扩散方程。(三) 离子注入（学时）1．基本要求核阻挡机构，电子阻挡机构，非晶靶，单晶靶，沟道效应注入损伤与退火。重点、难点 重点：核阻挡机构，电子阻挡机构注入离子的浓度分布。难点：核阻挡机构，电子阻挡机构。(四) 外延（学时）1．基本要求Si气相外延的基本原理低压外延选择外延与SOS外延，分子束外延。外延掺杂，外延层中的杂质分布堆剁层错，原位气相腐蚀抛光。重点、难点 重点：气相外延的基本原理SOS外延，分子束外延。难点：外延层中的杂质分布。(五) 氧化（学时） 1．基本要求重点、难点重点：SiO2的掩蔽作用。难点：热氧化生长动力学原理。(六)其它薄膜制备（学时）1．基本要求2．重点、难点重点：薄膜的化学气相淀积。 难点：化学气相淀积的方法与条件。(七) 微细图形加工技术（学时）1．基本要求 2．重点、难点重点：光刻工艺流程。 难点：曝光与刻蚀技术。 () 金属化与多层互连（学时）1．基本要求在IC中的应用铜互连低介电常数介质VLSI多层互连技术。2．重点、难点重点：铝互连和铜互连在IC中的应用。 难点：铜互连及低介电常数介质。 () 集成电路工艺设计（4学时）1．基本要求 CMOS集成电路的工艺双极集成电路的工艺。 2．重点、难点重点：CMOS集成电路的工艺。 难点：集成电路与工艺。 总学时 30 学时，讲课 28 学时，多种形式教学 2 学时 教学环节 教学时数 课程内容 讲 课 实 验 习 题 课 讨 论 课 上 机 参观或 看录像 小 计 晶体生长和晶片制备 2 2 扩散 4 4 离子注入 外延技术 3 3 其它薄膜制备方法 3 1 4 金属化与多层互连 3 3 集成电路工艺设计 4 4 五、考核方式 笔试（闭卷）。 各教学环节占总分的比例:平时测验及作业：30%，期末考试：70% 六、推荐教材与参考资料 推荐教材： 关旭东主编，《硅集成电路工艺基础》(第一版)，北京：北京大学出版社，2003。 参考资料： 1．Stephen A.Campbell，《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社，2003年。 2李乃平《微电子器件工艺》1995。 （执笔人：刘红侠 审核人：张玉明） 1