MOCVD 法制备ZnO 同质发光二极管3 - Journal of Semiconductors.PDF

第 26 卷 　第 11 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 11 2005 年 11 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Nov . ,2005 MOCVD 法制备 ZnO 同质发光二极管 叶志镇 　徐伟中　曾昱嘉 　江 　柳 　赵炳辉 　朱丽萍 　吕建国　黄靖云 　汪 　雷 　李先杭 (浙江大学硅材料国家重点实验室 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 在 n 型 ZnO 体单晶片上 , 首次采用 N 等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p 型 ZnO 薄 ( ) 膜 ,制成了同质 ZnO 的发光二极管 L ED 原型器件 ;在室温下 ,观察到同质 ZnO 的L ED 施加电压后由电注入激发 出紫外至绿光波段的光谱. 关键词 : ZnO ; L ED ; p 型掺杂 ; 金属有机化学气相沉积 EEACC : 6855 ; 7860 F ; 7280 中图分类号 : TN 3 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 源是经射频等离子体发生器活化 N O 气体产生. 衬 1 　引言 底为 n 型 ZnO 体单晶片 ,其电阻率为 100～500Ω · cm . ZnO 的同质pn 结是由n 型 ZnO 衬底和掺氮的 ZnO 是一种重要的化合物半导体光电材料 , 因 p 型 ZnO 薄膜直接形成 ,n 型和 p 型的欧姆接触电 为它具有良好的物理特性 :直接禁带能带结构 、室温 极均采用铟锌合金 , 图 1 为 ZnO 发光二极管结构示 禁带宽度 33eV 、激子束能量 60meV ,且 ZnO 资源 意图. 掺氮 ZnO 薄膜的电学性能是通过对生长在玻 丰富、热稳定性好 ,因此 ,是制备紫外光电器件 ,尤其 璃衬底上的 ZnO 薄膜通过霍尔测试得到的;薄膜的 是制 备 室温 紫 外半 导体 激 光器 最好 的潜在 材 ( ) 发光特性由 HeCd 激光器 325 nm 激发并测得. 料[ 1 ,2 ] . 但是 ,具有优 良电学和光学性能的p 型 ZnO 薄膜的制备被认为是研制 ZnO 基光电器件的最大 障碍. 目前 ,有较多文献报道了p 型 ZnO 薄膜的制 备 ,其方法有磁控溅射[3 ] 、脉冲激光沉积[4 ] 、金属有 ( ) [2 ,5 ] 、分子束外延[ 6 ] 等 , 机化学气相沉积 MOCVD 其中 MOCVD 方法最具工业应用前景. 最近有文献 [7 ] 图 1 　ZnO 同质结发光二极管结构示意图 报道了以分子束外延法制备了 ZnO 发光二极管 . 本文采用等离子体辅助 MOCVD 方法 ,通过在 Fig . 1 　 Schematic diagram of ZnO homo st ruct ural ZnO 体单晶片上外延生长 p 型 ZnO 薄膜实现 了 lightemitting dio de ZnO 同质结发光二极管的制备 ,观察到了 ZnO 二极 管在室温下的电注入发光.