n—GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒 - 北京工业大学学报.PDF

维普资讯 一 一 第 22卷 第 2期 北 京 工 业 大 学 学 报 Vo】，22 No 2 ＼ I996年 6月 JOURNAT．OF 日ELIING POLYTECHNIC UNlVERSrrY 、 一 Jun． 】996 D一 一7 n—GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒 接触稳定性的研究 李志国 赵瑞东 程尧海 吉 元 郭伟玲 孙英华 I李学信l (北京工业大学电子工程学系，1(]0022) ． 壅 塾 吕振中 丁V／岁D 、 (南京电子工业部 55所，2I∞16) 广 摘 要 对Ti／Mo／Ti u作为措金属的GaAsMESFET 进行了高温反偏 (HTRB)．高压反 偏 (HRB)、高温正向大电流 (HFGC)．高温存贮 (HTS)4种不 同的应力试驻 ．通过HRB．击b 从0．64eV减少到 0．62eV，理想因子n略有增大 ．HrS‘试验中西b从O67eV增加到O69eV．分 析表 明，这归因于界面氧化层的消失 ．以及 Tj与GaAs的反应 ；HFGC试验结果表 明 其 主 要的失效模式为烧毁．同时，SEM 观察中也有电徙动盈断栅现象发生．AES分析表 明，应力 试验后的样品，其 肖特基势皇接触界面出现模糊，有 明显的互扩散和反应发生． 关键词 墨茎兰 分类号 TN364．j， 当今，山于】I】一V族化台物半导体器件的某些’眭能明显优于硅器件而被广泛地应用 于航空、航天和卫星通 讯等高技术领域 ． 目前，在微波领域中的低噪声．功率和数字应用 方面，肖特基势垒场效应晶体管的研究支配着固态工艺的发展，其在军事和商业两方面应 用的现实及潜力，意味着其 可靠 性 已成为问题 的关键 ． GaAsMESFET是用栅 肖特基势垒接触来控制沟道 区，因而 MESFET的可靠性与稳 定性在很大程度上依赖于 肖特基栅的特性及其可靠性和稳定性 ．因栅的缓慢退化而导致器 件特性退化，甚至导致器件烧毁失效 ，这在器件 的失效模式 中占有相 当大的比例 ”I．栅 肖 特基势垒接触直接影响着器件参数，如漏饱和 电流 (， )，反 向击穿电压，输入容抗及栅 寄生串联电阻等 ． 本文在实验的基础上，对Ti／Mo／Ti／Au肖特基势垒接触的失效模式与失效机理进 行了研究，并指 出了相应的改进措施 ． 1 试验及结果 1,1 实验与测试系统 实验与测试系统联结图 如图 l 收稿 目期：l994一O7一l9 维普资讯 第 2期 李志国等 ：I1--GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势皇接触稳定性的研究 4l 围 l 实骚与测试系坑联结围 试验 中通过 IBM PC计算机控制 }IP一3457A万用表 ．HP一6035A或 603IA程控 电 源．HP一3488程控开关以及与 }IP一488接 口联结的高温温箱，实验样品通过程控开 关与 其它智能仪器相联 ． 1．2 试验条件 为 了能够准确地找出n—GaAsTi／Mo／Ti／Au肖特基势垒接触 的失效模式和失效机 理，揭示其在不 同应力条件下 的失效过程和规律 ．我们设计 了4种不 同的应试验 ：① 常 温反偏 (HRB)：环境温度 Tmb=35℃ 、电流密度 J=3A／cm ．② 高温反偏 (HTRB)： 。Ⅲb=l25℃ ．J，=3A ／cm ，通高纯 N 作为保护气体．③ 高温正向大 电流 (HFGc)： =l75℃ 、J，=2．5×lrA ／Cnqt，通高纯 N1作为保护气体 ．④ 高温存贮 (HTS)： T b=300℃