Ni／AIGaN／GaN结构中肖特基势垒温度特性 - 北京工业大学学报.PDF

第34卷第4期 北京工业大学学报 V01．34No．4 2008年4月 OF UNIVERSITYOF JOURNALBEIJING TECHNOLOGY Apr．2008 张小玲，谢雪松，吕长志，李志国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100022) 摘要：通过I-V测量研究了AlGaN／GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系．在室温下肖特基势垒高 度为O．75eV，理想因子为2．06．温度升高，肖特基势垒高度增加，理想因子下降，主要原因是受异质结和二维电 子气的影响．在正向电流为1mA时，室温下的正向电压为1．65V，从室温到300℃范围内正向电压的温度系数 为一1．6mY／℃． 关键词：肖特基接触；AIGaN／GaNHEMT；温度特性 中图分类号：TN311．7 文献标识码：A 文章编号：0254—0037(2008)04—0365—04 AIGaN／GaN系统具有高电子漂移速率，高击穿电场和较高的热导率使其在微波、大功率和高温方面 的应用引起人们极大的兴趣．氮化物材料的化学稳定性和机械硬度使其更适合在恶劣环境下使用．近年 来mGaN／GaN 器件的性能有很大的影响．尤其是在高温条件下，肖特基接触和欧姆接触特性不退化是HEMT器件正常 工作的关键．文献中各种金属与n—GaN接触的肖特基势垒高度的研究有很多【4-6】。其中用J—y测量得 C 到的Ni的势垒高度在0．95eV左右．但研究肖特基势垒高度温度特性的文章较少，ASehmitz等【7】用 卜-V测量了最高加热到500℃时，Pd肖特基势垒随温度的变化情况．研究Ni肖特基势垒随温度的变化 关系还没有在文献中看到，其中的研究多是关于金属／GaN或金属／mGaN的肖特基接触随温度的变化关 系，对于HEMT器件中的肖特基接触是金属／GaN／舢GaN异质结的肖特基接触，作者通过实验发现，其随 温度的变化规律与金属／GaN或金属／烈GaN是正好相反的．弄清楚变化的原因对HEMT器件在高温环 境下的应用非常重要． 的势垒高度，并从室温到300℃的肖特基势垒随温度的变化关系进行了测量，分析和研究了肖特势垒和理 想因子随温度的变化关系． 1 肖特基接触的I—v测试原理 在确定肖特基接触的参数、势垒高度和理想因子时，最常用的方法是测量其正向电流电压(J—v)曲 线．在本实验中，卜一V的测量是对A1GaN／GaN上的肖特基接触和欧姆接触之间施加正向电压测量其正 向电流，然后改变芯片的温度，进行再一次的j—v测量．由于GaN材料的电子迁移率比较大。可以忽略 扩散的影响，假设热电子发射是肖特基接触的主要电流传输机理，其正向卜一v的关系式[8】为 2 J (1) AA’T2exp(一一B／kBT){exp(qV／nikBT)_1} 式中，A为肖特基接触的面积；A。为理查逊常数；咒i为理想因子；庐B为势垒高度． 定义f。为饱和电流： Io=AA’T2exp(一一B／kBT) (2) 则式(1)可以简化为 收稿日期：2006—12．18． 作者简介：张小玲(1972一)，女，陕西三原人，讲师． 万方数据 北京工业大学学报 J=10{exp(qV／nikBT)一1} (3) 是一条直线，从直线斜率和y轴的截距或fo，能分别得出器件的理想因子和势垒高度．对于GaN材料而 言，A。的理论值应为264kA·em-2·K_。．而实际的A’与理论值有一定的偏差，这会给势垒高度的计算 结果带来误差，但A’取对数后对势垒高度的影响不会很大． 2器件的制备 60