NaCu3Ti3NbO12 和NaCu3Ti3SbO12 陶瓷的巨介电 ... - 无机材料学报.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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NaCu3Ti3NbO12 和NaCu3Ti3SbO12 陶瓷的巨介电 ... - 无机材料学报.PDF

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NaCu3Ti3NbO12 和NaCu3Ti3SbO12 陶瓷的巨介电 ... - 无机材料学报

第29 卷第 1 期无机材料学报 Vol. 29 No. 1 2014 年1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2014 文章编号: 1000-324X(2014)01-0062-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.13212 NaCu Ti NbO 和 NaCu Ti SbO 陶瓷的巨介电性质及 3 3 12 3 3 12 NaCu Ti SbO 陶瓷的低介电损耗特性 3 3 12 1,2 3 3 1,2 1,2 郝文涛 , 徐攀攀 , 张家良 , 曹恩思 , 彭华 (1. 太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室, 太原 030024; 2. 太原理工大学物理与光电工程学院, 太原 030024; 3. 山东大学物理学院, 济南 250100) 摘要: 利用传统的固相反应工艺制备了 NaCu Ti NbO 和 NaCu Ti SbO 陶瓷, 对它们的介电性质和晶格结构进 3 3 12 3 3 12 行了研究。结果显示, 两种陶瓷都存在低频介电常数高于7 ×103 的巨介电行为; 在室温或者更低温度下, 两种陶瓷的介电频谱(40 Hz~110 MHz) 的实部只出现一个介电弛豫, 而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫; XRD 结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO 第二相。这些实验结果能用CCTO 陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。 NaCu Ti SbO 陶瓷的室温介电损耗在40 Hz 到7 kHz 的宽频率范围内低于0.05, 并且其 1 kHz 的介电损耗在−50~ 3 3 12 80℃的宽温度范围内低于0.05, 这对于实际应用有重要意义。关键词: NaCu Ti NbO ; NaCu Ti SbO ; 巨介电性质; 内阻挡层电容效应 3 3 12 3 3 12 中图分类号: TM283 文献标识码: A Giant Dielectric-permittivity Property of NaC