MOCVD法制备的p-ZnO／n-SiC 异质结器件及其电致发光 ... - 发光学报.PDF

第３３卷　第５期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３３ Ｎｏ５ ２０１２年５月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｍａｙ，２０１２ 文章编号：１０００７０３２（２０１２）０５０５１４０５ ＭＯＣＶＤ法制备的ｐＺｎＯ／ｎＳｉＣ 异质结器件及其电致发光性能 １ １ １ １ １ 史志锋 ，伍　斌 ，蔡旭浦 ，张金香 ，王 辉 ， １ ２ １ １ １，２ 王　瑾 ，夏晓川 ，董　鑫 ，张宝林 ，杜国同 （１．集成光电子国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院，吉林 长春　１３００１２； ２．大连理工大学 物理与光电工程学院，辽宁 大连　１１６０２３） 摘要：采用光辅助金属有机化学汽相沉积（ＰＡＭＯＣＶＤ）法在ｎＳｉＣ（６Ｈ）衬底上制备出Ａｓ掺杂的ｐ型ＺｎＯ 薄膜，并制备出相应的ｐＺｎＯ∶Ａｓ／ｎＳｉＣ异质结器件。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）测试表明，ＺｎＯ薄膜 具有较好的结构和光学特性。电流电压（ＩＶ）测试结果表明，该型异质结器件具有良好的整流特性，开启电 压为５．０Ｖ，反向击穿电压约为－１３Ｖ。正向偏压下，器件的电致发光（ＥＬ）谱表现出两个分别位于紫外和可 见光区域的发光峰，通过和ＺｎＯ、ＳｉＣ的ＰＬ谱对照，证实异质结器件的发光峰来源于ＺｎＯ侧的辐射复合。 关　键　词：Ａｓ掺杂；ｐＺｎＯ／ｎＳｉＣ；电致发光；金属有机化学汽相沉积 中图分类号：Ｏ４８４．１；ＴＮ３８３　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０５１４ ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ ｐＺｎＯ／ｎＳｉＣＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｂｙＭＯＣＶＤ １ １ １ １ １ ＳＨＩＺｈｉｆｅｎｇ，ＷＵＢｉｎ，ＣＡＩＸｕｐｕ，ＺＨＡＮＧＪｉｎｘｉａｎｇ，ＷＡＮＧＨｕｉ， １ ２ １ １ １，２ ＷＡＮＧＪｉｎ，ＸＩＡＸｉａｏｃｈｕａｎ，ＤＯＮＧＸｉｎ ，ＺＨＡＮＧＢａｏｌｉｎ，ＤＵＧｕｏｔｏｎｇ （１．ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ１３００１２，Ｃｈｉｎａ； ２．ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｄａｌｉａｎ１１６０２３，Ｃｈｉｎａ） ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｄｏｎｇｘ＠ｊｌｕ．ｅｄｕ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｓｄｏｐｅｄｐＺｎＯｆｉｌｍｓｗｅｒｅｇｒｏｗｎｂｙｐｈｏｔｏａｓｓｉｓｔｅｄｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉ ｔｉｏｎ（ＰＡＭＯＣＶＤ）ｓｙｓｔｅｍｏｎｎＳｉＣ（６Ｈ）ｓｕｂｓｔｒａｔｅａｎｄｔｈｅｐＺｎＯ／ｎＳｉＣｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅｗａｓ