MOSFET 结构及其工作原理详解 - 研发专辑.PDF

技术文章 ·RD TIMES 研发专辑 的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。 输出电容也有较复杂的关系。除此之外有些瞬态参 一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干 数也需要很好考虑，这些我们留到后面再谈。 扰变差；隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小， 5.1通态漏源电阻RDS(ON)的降低 UC3724 发热越少，但太大使匝数增多导致寄生参数 为降低 RDS(ON)，先要分析一下 RDS(ON) 是由哪 影响变大，同样会使抗干扰能力降低。根据实验数 些部分组成。这些电阻主要包括： 据得出：对于开关频率小于 100kHz 的信号一般取 5.1.1 RCH：沟道电阻，即栅极下沟道的电阻。 （400 ～ 500）kHz 载波频率较好，变压器选用较高 5.1.2 RJ：JFET电阻，即把各原胞的P－基区（P 磁导如 5K、7K 等高频环形磁芯，其原边磁化电感小 － BASE）所夹住的那部分看为 JEFT。JEFT 是结型场 于约 1 毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信号 效应晶体管（JUNCTIONFET）的简称。结型场效应管 频率小于 100kHz 的场合，因信号频率相对载波频率 是以 PN 结上的电场来控制所夹沟道中的电流。虽同 太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大， 称为场效应晶体管，但它和 MOSFET 是以表面电场来 UC3724 和 UC3725 芯片发热温升较高，故 100kHz 以 控制沟道中的电流情况不同，所以 MOSFET有时也被 上开关频率仅对较小极电容的 MOSFET 才可以。对于 称为表面场效应管。 1kVA 左右开关频率小于 100kHz 的场合，它是一种良 5.1.3 RD：漂移层电阻，主要是外延层中的电阻。 好的驱动电路。该电路具有以下特点：单电源工作， 一般做功率 MOSFET 都采用外延片。所谓外延片即在 控制信号与驱动实现隔离，结构简单尺寸较小，尤 原始的低阻衬底（SUBSTRATE）硅片上向外延伸一层 其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场 高阻层。高阻层用来耐受电压，低阻衬底作为支撑 合。 又不增加很多电阻。对 MOSFET 来说，载流子（电子 5.功率MOSFE发展与研发 或空穴）在这些区域是在外界电压下作漂移（DRIFT） MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道（CHANNEL） 运动，故而相关的电阻称为 RD。若要求 MOSFET 的耐 上的栅（GATE）来控制。按 MOSFET 的原意，MOS 压高，就必须提高高阻层（对 N 沟道 MOSFET 来说， 代表金属（METAL）－氧化物（OXIDE）－半导体 称N－层）的电阻率，但当外延层的电阻率提高时， （SEMICONDUCTOR），即以金属层（M）