P-N 结势垒电容的测量.PDF

P-N 结势垒电容的测量 一、目的: 1. 测量硅 P-N 结势垒电容与外加偏压的关系； 2. 从势垒电容与负偏压系式中求出势垒厚度δ、杂质浓度或杂质浓度梯度。 二、原理: 当加在结两端的电压发生变化时，一方面使结势垒度发生变化，引起了势垒区内空间电 荷的变化，这相当于对电容的充放电，因为它是势垒度的变化引起电容量的变化的，所以我 们用势垒电容 CT 来表示这种作用；另一方面也使注入到 p 区的电子和注入到n 区空穴数目 发生变化，引起 p 区和n 区的载流子浓度梯度的变化。为维持电中性条件，多数载流子也要 作相应的变化，相当于载流子在扩散区中的 “充”和“放”，就如同电容的充放电一样。因 为它是在扩散去内载流自变化引起的.故称为扩散电容，用 CD 表示。 P-N 结电容包括势垒电容和扩散电容两部分：C=CT+CD 当结两端的外加电时为负（即n 区为正，p 区接负）时，由于 P 区、n 区的少数载流子 很少，负电压的变化并不引起 p 区、n 区中电荷有多大的变化，所以扩散电容很小，相对势 垒电容来讲，扩算电容可以忽略。即： C=CT+CD ≈CT 所以，在外加负偏压的条件下测得的 P-n 结电容认为是 P-n 结势垒电容。 势垒电容 CT 与势垒区厚度 δ 的关系同平行板电容器一样： εε A C 0 （8-1 ） T δ -2 式中ε是硅的相对介电常数ε=12；ε是真空介电常数ε =8.85×10 微微法/厘米；A是P-n 0 0 结的结面积，用 cm2 2 作单位；δ是势垒厚度，用 cm 作单位。 P-n 结势垒区的厚度δ是随外加电压的变化而变化的,它的变化规律与 P-n 结两边的杂 质浓度的大小及杂质的分布状况有关。 Ge:ε=16 -19 Q=1.6×10 库仑 下面介绍两种比较理想的 P-n 结,即突变结和线性缓变结的势垒电容随外加电压的变化 规律. 1、 突变结 在P 区和 n 区的杂质浓度是均匀的，而且 P区和 n 区的界面上杂质浓度有一个突变，这 样的 P-n 结叫做突变结。他的杂质分布情况如图 8-2 所示。 其中 P 区的杂质浓度为 Np，n 区的杂质浓度为 Nn，在 P 区与 n 区的交界面附近形成一 个势垒区，它在 P 区和n 区的扩散距离分别是δ 和δ，如图 7-3 所示。势垒区厚度δ δ+δ 。 1 2 1 2 设势垒区中近似耗尽层，且 NnNp，那么δδ 。这表明势垒区主要向杂质浓度低的一边扩 1 2 展。δ δ+δ ≈δ。即势垒厚度只与 P区杂质浓度 Np 有关而与n区的杂质浓度 Nn 无关。 1 2 图 8-1 对突变结，若 NnNp，势垒厚度δ与杂质浓度 Np以及外加电压的关系可以用下式表示： 1 ⎡2εε0 ⎤2