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PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析 唐凌，瞿欣，方培源，杨兴，王... Page 1 of 8 IC库存 IC价格 产品中心 供求信息 综合资讯 业界 技术文章 电子书刊 技术资料 电子期刊 PDF资料 电子 网站地图 | | | English 简体中文 繁体中文 | | | EDA/ | | | 初学园地 传感技术 存储技术 自动化 消费电子 电源技术 单片 | | | | | | IC/ 仪器仪表 接口电路 模拟技术 新品发布 无线技术 嵌入式设计 元   | | | | | | 汽车电子 通信网络 光电显示 控制技术 测量测试 实例方案 微处理 | | | | | | 音响技术 集成电路 家用电器 可编程技术 数码专栏 计算机技术 其它 首页 技术资料 技术文章 设计实例与方案 PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析 唐凌，瞿欣，方培源，杨兴， PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析 唐凌，瞿欣，方培源，杨兴， 王家楫 http: 2004-9-13 摘要：光发射显微镜（PEM）是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型 缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降，光发射显微镜已广泛使用于IC和分 立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射显 微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用。 关键词：PEM；微分析；失效 1 PEM 的基本原理 半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。 这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。而光发射显微技术 PEM （ ）作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行 器件失效缺陷定位，因而在器件失效分析中得到广泛使用。 在存在着漏电、击穿、热载流子效应的半导体器件中，其失效点由于电致发光过程而 产生发光现象。这些光子流通过收集和增强，再经过CCD 光电转换和图像处理，得到一 张发光像，将发光像和器件表面的光学反射像叠加，就能对失效点和缺陷进行定位。 如果使用红外或者近红外光作为反射像的光源，由于硅对红外，近红外波段的透明 性，可以倒扣放置芯片，使光源从芯片背面入射，获得反射像。而发光像从背面出射，避 免芯片正面多层金属布线结构的吸收和反射，从而可以实现从芯片背面进行失效点定位。 PEM 1 典型 系统如图 所示： /special_column/techarticle/old/6039.html 2009-4-7 PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析