SooPAT 铜铟镓硒薄膜电池的制备方法 - 中国科学院深圳先进技术研究院.PDFVIP

SooPAT 铜铟镓硒薄膜电池的制备方法 申请号：201010278999.8 申请日：2010-09-09 申请(专利权)人中国科学院深圳先进技术研究院 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 发明(设计)人马续航 主分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类号 H01L31/18(2006.01)I 公开(公告)号101980377A 公开(公告)日2011-02-23 专利代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 吴平 注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN101980377B* (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 101980377 B (45)授权公告 日 2012.07.04 (21)申请号 201010278999.8 (22)申请 日 2010.09.09 (73)专利权人 中国科学院深圳先进技术研究院 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学 城学苑大道1068 号 (72)发明人 马续航 刘壮 肖旭东 (74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人 吴平 (51) Int.C l. H01L 31/18 (2006.01) 审查员 马志勇 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 4 页 权利要求书1 页 说明书4 页 附图4 页 (54) 发明名称 铜铟镓硒薄膜电池的制备方法 (57) 摘要 一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，包括如 下步骤 ：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层 ； 从玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透 玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透金属背电极 层的第一刻槽 ；在金属背电极层上及第一刻槽表 面形成铜铟镓硒光吸收层 ；在铜铟镓硒光吸收层 上形成缓冲层 ；在缓冲层上形成阻挡层 ；发射第 二激光束，以在阻挡层上蚀刻形成深入至金属背 电极层的第二刻槽 ；在阻挡层和第二刻槽表面形 成窗口层 ；发射第三激光束，以在窗口层上蚀刻 形成深入至金属背电极层的第三刻槽。上述方法 制备的铜铟镓硒薄膜电池具有不易短路的优点。 B 7 7 3 0 8 9 1 0 1 N C CN 101980377 B 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 ： 在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层 ； 从该玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透该玻璃衬底的第一激光束，以形成 穿透该金属背电极层的第一刻槽 ；蚀刻第一刻槽时，该第一刻槽宽小于等于60 μm ，刻蚀完 毕后将该玻璃衬底浸入10 ～30M Ω/cm 的去离子水中超声震荡清洗2 ～10 分钟，用乙醇溶 液冲洗，并用氮气吹干 ； 在该金属背电极层上及该第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层 ； 在该铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层 ； 在该缓冲层上形成阻挡层 ； 发射第二激光束，以在该阻挡层上蚀刻形成深入至该金属背电