TX8356 - 上海太矽电子科技有限公司.PDFVIP

TX8356 NPNSILICONRFTRANSISTOR 描述 TX8356是上海太矽电子科技有限公司生产的超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外 延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SC-59 贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。 主要特性 2 高增益: ︱S21e ︱典型值为12.3dB @VCE 10V，IC 30mA，f 1GHz 低噪声: NF 典型值为1.7dB @VCE 10V，IC 7mA， f 1GHz 增益带宽乘积:fT典型值为 GHz @VCE 10V，IC 30mA，f 1GHz 订购信息 产品号 标准包装 TX8356 3K/盘 极限工作条件范围 (TA 25℃) 参数 符号 极值 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 10 V 发射极基极击穿电压 VEBO 1.5 V 集电极电流 IC 100 mA 功耗 PC 365 mW 结温度 Tj 175 ℃ 存储温度 Tstg -65~+150 ℃ hFE规格 分档 B C 标号 R24 R25 hFE 90-130 130-180 TXSEMICONDUCTORELECTRONICSCO.,LTD -1- TX8356 NPNSILICONRFTRANSISTOR 电学特性 (TA 25℃) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V IC 1.0µA 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 µA VCB 10V 发射极基极漏电流 IEBO 0.1 µA VEB 1V 直流增益 hFE 50 150 250 VCE 5V,IC 20mA 增益带宽乘积 fT GHz VCE 10V,IC 30mA 输出反馈电容 Cre 0.4 pF VCB 6V,IE 0mA,f 1MHz 2 功率增益 |S21e| 12 12.3 dB VCE 10V,IC 30mA,f 1GHz 噪声因子