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ZnTeZnTeCu复合背接触层对CdTe太阳电池器件性能的影响.PDF

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ZnTeZnTeCu复合背接触层对CdTe太阳电池器件性能的影响

中国科学 E 辑:技术科学 2007 年 第37 卷 第1 期: 20~25 SCIENCE IN CHINA PRESS ZnTe/ZnTe:Cu 复合背接触层对CdTe 太阳 电池器件性能的影响 * 武莉莉 冯良桓 李 卫 张静全 黎 兵 蔡 伟 蔡亚平 郑家贵 雷 智 ( 四川大学材料科学与工程学院, 成都 610064) 摘要 将真空共蒸发技术沉积的ZnTe/ZnTe:Cu 复合薄膜应用于CdS/CdTe 太阳 电池, 作为碲化镉与金属背电极间的过渡层. 比较了有无ZnTe 复合背接触层的两 种 CdTe 电池的光、暗电流- 电压(I-V) 曲线和电容- 电压(C-V)特性, 并研究了本征 ZnTe 薄膜厚度和背接触层的退火温度对电池性能的影响. 结果表明, 有复合背接 触层的CdTe 光伏器件, 能够消除暗I-V 曲线饱和与光、暗I-V 曲线交叉现象, 且 填充因子在没有高阻透明薄膜的情况下达到了 73%. 结合 CdTe 电池的能带图讨 论了其中的原因. 关键词 ZnTe 薄膜 ZnTe:Cu 薄膜 背接触 CdTe 太阳电池 近几年来, CdTe太阳电池的研究取得了很大的进展, 其中一个重要的研究方向就是增加 电池的短波响应. Wu等人[1]通过将一种新型的TCO透明导电膜(CdSnO /ZnSnO )用做前电极, 4 4 减少CdS 薄膜的厚度, 从而获得了 16.5%的CdTe太阳电池. 另一个研究方向是改善背接触. CdTe 的电子亲和势为4.3 eV, 室温下的禁带宽度为 1.5 eV, 因此尽管使用Au, Ni和石墨等功函 数较高的背电极材料也不能和CdTe形成良好的欧姆接触的背电极材料, 这也是CdTe 电池的实 际效率与理论转换效率相差较远的主要原因. 因为ZnTe与CdTe 的价带偏移较小, Mayers[2]首先 提出用ZnTe作为CdTe 的背接触层. 在我们前期的研究工作中, 已经将ZnTe:Cu单层膜和复合膜 应用于CdTe和背电极之间, 实验证明这层背接触层可以显著提高CdTe 电池的效率[3,4]. 但是由 于复合层表现出一种反常的电导率-温度的关系, 要确定它的理想结构和退火温度还比较困难 [3,5,6]. 因此, 本文研究了ZnTe背接触层的结构及其退火温度对CdTe 电池效率、电流- 电压特性 (I - V)和电容- 电压特性(C- V) 的影响, 并进行了分析讨论. 收稿日期: 2005-03-30; 接受日期: 2006-10-28 国家高技术研究发展计划资助项目(编号: 2003AA513010) * 联系人, E-mail: lh.feng@263.net 第 1 期 武莉莉等: ZnTe/ZnTe:Cu 复合背接触层对 CdTe 太阳电池器件性能的影响 21 1 实验 ZnTe和ZnTe:Cu薄膜采用有两个独立蒸发源的共蒸发系统沉积. ZnTe和Cu 的沉积速率由 两个石英监控仪在线监测, Cu浓度的控制通过调节其沉积速率得到; CdS和CdTe薄膜分别用化 学水浴法和近空间升华法制备; ZnTe/ZnTe:Cu薄膜的后处理在暗态、氮气气氛下进行;

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