ZnO纳米柱的可控生长及其光学性质.PDF

中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 1 期 : 114 ~ 118 SCIENCE IN CHINA PRESS ZnO纳米柱的可控生长及其光学性质 ① ①* ① ①② ③ ① 李江勇 , 李岚 , 徐建萍 , 张晓松 , 李海燕 , 庄晋艳 ① 天津理工大学材料物理研究所, 显示材料与光电器件教育部重点实验室, 天津 300384 ; ② 南开大学现代光学研究所, 天津 300071; ③ 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 * 联系人, E-mail: lilan@ 收稿日期: 2007-09-30; 接受日期: 2007-12-18 国家自然科学基金(批准号:、天津市自然科学基金(批准号: 07JCYBJC06400, 06TXTJJC14600)和天津市高等学校科技发展 基金计划资助项目 摘要 以高分子聚合物聚乙烯醇(PVA)为软模板, 通过 PVA 与乙酸锌(Zn(CH COO) · 关键词 3 2 2H2O)之间发生的离子络合反应, 在 PVA 亚浓溶液所提供的空间位阻力作用下, 经过烧结, ZnO 纳米柱 获得了直径在15~50 nm 之间的呈放射状簇形排列的ZnO 纳米柱. X 射线衍射(XRD)表明, 所 高分子软模板 得产物结晶良好, 呈六方纤锌矿晶体结构. 利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)分析了不 PVA 光致发光光谱 同热处理温度对产物形貌的影响, 结果显示, 随温度从400 ℃增加到700 ℃, ZnO 纳米柱生长 趋势总体趋于明显, 同时产物形貌的规整性也明显变好. 采用室温下光致发光(PL)光谱对制 得的ZnO 纳米柱的光学性能研究表明, 随着温度升高, ZnO 发光性能在逐渐改善, 除在384 nm 处出现了较常见的紫外发射外, PL 光谱曲线在354 nm 处还出现了少见报道的较强的紫 外发射峰, 显示出良好的紫外发光性能. 准一维纳米结构材料例如纳米线、纳米柱和纳米 性高分子PVA亚浓溶液中的高分子线团相互穿插交叠, 带等具有许多特异的物理、化学特性, 在构建纳米电 能够形成具有网眼尺寸在纳米至微米间变化的交联网 子和光学器件方面具有很大的应用潜力, 近年来受 络结构的高分子软模板. 在网眼中生成的ZnO 纳米微 到广泛的关注[1]. ZnO是继GaN 以后出现的又一种第 粒由于受到网链空间位阻力的限制, 具有一定的稳定 3 代宽禁带半导体, 具有6 角形纤锌矿晶体结构, 室 性. 本文通过控制退火温度, 以实现ZnO纳米晶体的 温下的带隙宽度约为 3.37 eV. 一维纳米ZnO特有的 可控生长, 最终合成了直径在 15~50 nm的呈簇状排列 量子尺寸效应、界面效应和耦合效应, 使其在光催 的ZnO纳米柱. 文献报道中将ZnO纳米柱合成簇状结 [2] [3] [4] [8,9] 化 、短波长光电子器件 以及场发射电子体 等方 构的研究并不多见, 对其性能的研究也不够深入 . 面有着广泛的用途. 本文对制备所得样品的发光性能进