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δ 惨杂电子元件与传统电子元件特性之比较
技術學刊第十四卷第一期民國八+八年 75
Journal of Technology, Vol. 14, No.1 , pp. 75-84 (1999)
δ 慘雜電子元件與傳統電子元件特性之比較
楊誌欽
國立澎湖海事管理專科學校電訊工程科
黃廣志
國立高雄科學技術學院電機工程技術系
蘇炎坤
國立成功大學電機工程系
摘要
本文中我們整理並且說明δ慘雜技術應用在各種電子元件製造上的成就與貢
獻。 δ慘雜製作與傳統方法製作的電子元件特性比較在本文亦被完成，所列舉的
電子元件包括異質雙載子電晶體、場效應電晶體、高電子移動率電晶體和共振穿
透二極體。 δ慘雜技術對電子元件特性有許多改善並且將更廣泛地被應用在其它
電子材料及元件。
關鍵字 : δ 慘雜 ， 二極體 ， 電晶體 。
COMPARISON OF δ-DOPING AND TRADITIONAL
ELECTRONIC DEVICES
Chih-Chin Yang
Department ofElectronic Communication Engineering
Nαtional Penghu Institute ofMarine and Management Technology
Penghu , Taiwan 880, R.O.C
Kuang-Chih Huang TAO
Department of Electrical Engineering
National Kaohsiung Institute ofTechnology
Kaohsiung , Taiwan 804, R.O.C
Yan-Kuin Su
Department ofElectrical Engineering
National Cheng Kung University
Tainan Taiwan 701, R.O. C.
Key Words: 8-doping , diodes , transisto
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