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不同发射极面积npn 晶体管高低剂量率辐射损伤特性 - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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不同发射极面积!! 晶体管高低剂量率辐射损伤特性!
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郑玉展 陆 妩 任迪远 王义元 郭 旗 余学锋 何承发
!）（中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐 $%!!）
）（中国科学院研究生院，北京 !’( ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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影响 晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等 主要研究了三种发射极面积
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的国产 晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响 研究结果表明，国产
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晶体管具有低剂量率损伤增强效应，且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著 比较三种发
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射极尺寸的晶体管辐照响应发现，发射极周长面积比 越大时晶体管归一化过剩基极电流 也越大 详细
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阐述了 晶体管辐射损伤机制，从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对 晶体管的加固保证方法进行了探索
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关键词：发射极面积，国产)*) 晶体管，剂量率，辐射损伤
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增强机制一直是国内外研究的热点+ 国内外研究结
引 言 果表明双极晶体管辐照损伤与基 射结区上隔离氧
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化物中和 M74M7O
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