九十七年新考题电子专(一)电子学.PDF

九十七年新考題電子專(一)電子學 1. (B) 荷電載子在半導體內的漂移(drift)運動，是源自於下列何者？ (A)熱效應 (B)外加電壓 (C)載子濃度不均勻 (D)光線照射。 2. (A) 某矽二極體η = 2 ，熱電壓(thermal voltage)V = 25mV 。若其順向電流為10mA ， T 則其動態電阻值為何？ (A)5Ω (B)10Ω (C)15Ω (D)20Ω 。 3. (C) 關於雙極性接面電晶體基本放大電路組態的特性比較，下列敘述何者錯誤？ (A)電壓增益最大的是共基極組態 (B)電流增益最大的是共集極組態 (C)輸入阻抗最大的是共射極組態 (D)輸出阻抗最大的是共基極組態。 4. (B) 如圖(一)所示之理想運算放大器電路，若運 算放大器輸出正負飽和電壓分別為+12V 與 −12V ，則此電路之遲滯電壓為何？ (A)10V (B)8V (C)6V 圖(一) (D)4V 。 5. (D) 如圖(二)所示之電壓調整器，若 V REF =1.25V ，I = 100μA ，則輸出電壓V 約為何？ o (A) −13.95V (B) −6.98V (C)6.98V (D)13.95V 。 圖(二) 6. (D) 關於雙極性接面電晶體的共基極偏壓組態的特性，下列敘述何者錯誤？ (A)輸入信號與輸出信號同相位 (B)輸入阻抗低，輸出阻抗高 (C)電壓增益大，電流增益約等於 1 (D)適合用於低頻電路中作阻抗匹配。 7. (A) 共射極組態之雙極性接面電晶體開關在開路時，電晶體工作區域為何？ (A)截止區 (B)作用區 (C)飽和區 (D)歐姆區。 8. (A) 如圖(三)所示之電路，稽納(Zener)二極體之 V = Z 10V ，最大額定功率為400mW 。若負載電阻RL 兩端 電壓要維持在 10V ，則RL 之範圍為何？ (A)125Ω～250Ω (B)200Ω～450Ω 圖(三) (C)350Ω～550Ω (D)450Ω～1200Ω 。 1 9. (B) 如圖(四)所示之電路，已知 JFET 之 IDSS = 4mA ，夾 止電壓 V = −4V ，V = −2V ，若JFET 工作於飽和 P GS 區，則RS 約為何？ (A)25kΩ (B)22kΩ (C)15.56kΩ (D)12.2kΩ 。 圖(四) 10. (A) 有一電源電路之輸出端，利用直流電壓表測得為 50V ，利用交流電壓表串聯一大 電容器後測得電壓為 3V ，則其漣波百分率為何？ (A)6% (B)5% (C)4% (D)3% 。 11. (D) 下列何種雙極性接面電晶體功率放大器之效率最高？