二次耦合直流输出的金属氧化物TFT 行驱动电路 - 发光学报.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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二次耦合直流输出的金属氧化物TFT 行驱动电路 - 发光学报.PDF

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二次耦合直流输出的金属氧化物TFT 行驱动电路 - 发光学报

第３７卷　第１０期发　光　学　报Ｖｏｌ３７Ｎｏ１０２０１６年１０月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＯｃｔ. ꎬ２０１６文章编号:１０００￣７０３２(２０１６)１０￣１２２３￣０７二次耦合直流输出的金属氧化物ＴＦＴ行驱动电路１２２ ∗ ２２２胡宇峰 ꎬ李冠明 ꎬ吴为敬 ꎬ徐　苗 ꎬ王　磊 ꎬ彭俊彪 (１. 华南理工大学电子与信息学院ꎬ广东广州　５１０６４１ꎻ ２. 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室ꎬ广东广州　５１０６４１) 摘要:为了弥补现有氧化物ＴＦＴ的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足ꎬ提出了基于二次耦合的直流输出模块ꎬ并由此研究设计新的行驱动电路拓扑ꎮ 仿真结果表明ꎬ该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点ꎮ 最后ꎬ基于刻蚀阻挡层(ＥＳＬ)结构的氧化物ＴＦＴ工艺ꎬ在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路ꎬ实测单级功耗为３２５ μＷꎮ 关　键　词:行驱动电路ꎻ氧化铟锌薄膜晶体管ꎻ耦合效应中图分类号:ＴＰ３９４.１ꎻＴＨ６９１.９　　　文献标识码:Ａ　　　ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１２２３ＧａｔｅＤｒｉｖｅｒＩｎｔｅｇｒａｔｅｄｂｙＭＯＴＦＴｓＵｓｉｎｇＴｗｉｃｅ￣ｂｏｏｔｓｔｒａｐＤＣＯｕｔｐｕｔＭｏｄｕｌｅ１２２∗ ２２２ＨＵＹｕ￣ｆｅｎｇ ꎬＬＩＧｕａｎ￣ｍｉｎｇ ꎬＷＵＷｅｉ￣ｊｉｎｇ ꎬＸＵＭｉａｏ ꎬＷＡＮＧＬｅｉ ꎬＰＥＮＧＪｕｎ￣ｂｉａｏ (１. ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＧｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４１ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓꎬＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＧｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４１ꎬＣｈｉｎａ) ∗ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｗｕｗｊ＠ｓｃｕｔ.ｅｄｕ.ｃｎＡｂｓｔｒａｃｔ:ＴｈｅｇａｔｅｄｒｉｖｅｒｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｂｙｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｉｓａｂｌｅｔｏｌｏｗｅｒｔｈｅｃｏｓｔｏｆｄｒｉｖｉｎｇＩＣｓａｎｄｎａｒｒｏｗｔｈｅｂｅｚｅｌｏｆｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌꎬｂｕｔｔｈｅｒｅａｒｅｓｏｍｅｄｉｓａｄｖａｎｔａｇｅｓｌｉｋｅｐｏｏｒｐｏｗｅｒｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙꎬｓｌｏｗｒｅｓｐｏｎｓｅｓｐｅｅｄａｎｄｓｍａｌｌｏｕｔｐｕｔｓｗｉｎｇｆｏｒｔｈｅｅｘｉｓｔｉｎｇｏｕｔｐｕｔｍｏｄｕｌｅｓ. Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｓｏｌｖｅｔｈｅｓｅｐｒｏｂｌｅｍｓꎬａｎｏｖｅｌｔｗｉｃｅ￣ｂｏｏｔｓｔｒａｐＤＣｏｕｔｐｕｔｍｏｄｕｌｅｗａｓｐｒｏｐｏｓｅｄꎬａｎｄａｎｅｗｇａｔｅｄｒｉｖ￣ｅｒｔｏｐｏｌｏｇｙｗａｓｄｅｓｉｇｎｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｉｓｍｏｄｕｌｅ. Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｈａｓｓｔｒｏｎｇｄｒｉｖｉｎｇａｂｉｌｉｔｙａｎｄｆａｓｔｒｅｓｐｏｎｓｅｓｐｅｅｄ. Ｆｉｎａｌｌｙꎬｔｈｅｇａｔｅｄｒｉｖｅｒｓ