偏置条件对NPN 及PNP 双极晶体管电离辐射损伤的影响研究 - 物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 9 (2013) 098503 偏置条件对NPN 及PNP 双极晶体管电离 辐射损伤的影响研究* 1† 2 1 1 1 2 1 李兴冀 兰慕杰 刘超铭 杨剑群 孙中亮 肖立伊 何世禹 1) ( 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨 150001 ) 2) ( 哈尔滨工业大学航天学院, 哈尔滨 150001 ) ( 2012 年11 月12 日收到; 2012 年12 月17 日收到修改稿) 本文采用低能电子辐照源对NPN 及PNP 晶体管进行辐照试验. 在辐照试验过程中, 针对NPN 及PNP 晶体管 发射结施加不同的偏置条件, 研究偏置条件对NPN 及PNP 晶体管辐射损伤的影响. 使用Keithley 4200-SCS 半导体 特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系. 测试结果表明, 在相同的 辐照注量条件下, 发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大; 发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程 度最小; 发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间. 关键词: 双极晶体管, 低能电子, 电离辐射 PACS: 85.30.Pq, 14.60.Cd, 87.50.Gi DOI: 10.7498/aps.62.098503 硅材料中产生位移损伤611 , 便于选用低能电子研 1 引言 究双极晶体管的纯电离损伤效应; 二是空间环境中 存在着大量的电子, 地面宜直接采用电子辐照模拟 航天器在轨飞行过程中, 电子控制及信息系统 空间辐射环境. 因此, 本文选用110keV 低能电子作 承担着控制着航天器件的飞行和与地面保持信息 为辐照源, 在不同偏置条件下研究双极晶体管电离 与数据的传送的重要任务, 在这些系统中双极晶 效应. 体管及电路被广泛的使用. 空间高能带电粒子会 对航天器中电子器件产生电离、位移及单粒子效 2 试验器件与试验方法 应13 . 不同类型的电子器件对辐射效应的敏感性 不同, 双极晶体管对电离效应和位移效应均较为敏 本实验选用的双极晶体管为3DG112 (NPN) 和 感46 . 本文主要研究不同偏置条件下, 双极晶体 3CG130 (PNP). 3DG112 及3CG130 均为硅外延高 管的电离损伤效应. 到目前为止, 国内外已有的研 频小功率三极管, 其外形分别为A3-01BF 及A3- 60 02B. 进行电离效应损伤机理分析时, 关键的结构参 究工作主要集中于 Co γ 射线辐照条件下双极晶 体管的电离损伤效应研究 710 , 而对于低能电子 数为氧化物层厚度. 3DG112 及3CG130 的氧化物 辐照时, 不同偏置条件对双极晶体管电离损伤影响 层厚度相近, 约为600 nm. 的研究较少. 本文选取低能电子进行辐照试验, 辐射条件为: 60 9 2 Co γ 射线作为辐照实验源时, 在电子器件中 能量为 110 keV、辐照通量为 12 10