具有高响应度之氮化镓光电晶体紫外光侦测器之研究 - 科技部工程科技 ....PDF

行 度 精 類 行 年年 行 李倫 參理 理 論 理 利 年 年 具有高響應度之氮化鎵光電晶體紫外光偵測器之研究 計畫類別：個別型計畫 計畫編號： NSC- 97-2221-E-218-048- 執行期間： 97 年 08 月 01 日至 98 年 07 月 31 日 執行單位：南台科技大學 工學院 光電工程系研究所/ 中 華 民 國 98 年 08 月 15 日 1 ㄧ、摘要 本實驗是以有機金屬化學氣相沉積(metal-organic vapor-phase epitaxy)方法成 長氮化鋁鎵氮化鎵/ (Al0.17Ga0.83N/GaN) 系列的異質接面紫外光電晶體 (heterojunction phototransistors, HPTs) ，此光電晶體在波長280到390nm的範圍內 具有帶通的(bandpass)光頻譜響應特性。當偏壓為6伏特且入射光波長為 340nm 時，其響應值為 1500A/W ，相當於量子增益為5.47×103 ，相較於氮化鎵系列的光 導體，此光電晶體具有相當高的光譜響應。當偏壓為3伏特時，其在長波長側的 拒斥比 (rejection ratios) (340nm與400nm之間的光響應對比度)與短波長側的拒斥 5 4 比分別為4×10 與1×10 ，皆遠大於典型氮化鎵系列之光導體。其中在長波長側會 有如此高的響應，是由於此光電晶體在基極 射極間- (base-emitter)的異質接面有極 佳的侷限效應使其對電洞有較長的侷限時間 (trapping time) ，再加上對於禁止能隙 中之缺陷相關 (defect-related)的間隙態位 (gap states)所引發的缺陷至能帶 (defect-to-band)的響應相當小，使得其在波長 340~400nm之間具有高拒斥比之頻 譜響應。 (本報告為行政院國家科學委員會補助專題研究計畫計畫編號：( NSC- 97-2221-E-218-048) 二 、背景 近幾年來，許多以氮化鎵(GaN) 系列的光檢測器(photodetectors)已相繼被提 1 2 3-5 出 ，包含p-n接面二極體(diodes) 、p-i-n二極體 、蕭特基位障(Schottky barrier) 6 7-10 二極體 、金屬-半導體-金屬(metal-semiconductor-metal, MSM)光檢測器 以及崩 潰二極體 (APD) 11 。在實際應用上，微弱的光訊號要能被檢測出，通常必須使用 具有高內部增益(inherent gain)的光檢測器 例如具有高靈敏度的光檢測器( ) ，或者 必須把訊號放大。雖然光導體和MSM 光二極體皆具有內部增益的特性，但由於 其形成光電增益的機制過程中易產生雜訊，所以其光增益量通常無法滿足需求。 雖然氮化鎵系列光導體與蕭特基紫外光二極體的磊晶結構較簡單，而且不需 高偏壓操作就有光增益，不過由於目前的磊晶與製程技術還難以有效地控制氮化