共振穿隧二极体Resonant tunneling effect.PDF

共振穿隧二極體 RESONANT TUNNELING DIODE 指導老師 ﹕葉義生 老師 組員﹕莊育豪 4A0L0120 徐榮駿 4A0L0135 林松霖 4A0L0901 賴泓全 4A0L0902 目錄 量子阱中能量的量子化和分立能級的形成 電子的單勢壘穿隧 相干穿隧模型 介紹  RTD是由其核心部分 -DBS(雙勢壘單勢井結構 )和兩端引出 的電極射極和集極構成的  分析DBS產生共振穿隧必須以量子陷中能量的量子化產生 分立能級和電子穿隧單勢壘 兩個量子力學概念為基礎 量子阱中能量的量子化和分立能級的形成  按照量子力學理論, 如果一個電子位於勢壘高度為 Vo 、 寬度為Lw的勢阱中 ,當勢阱寬度 Lw接近德布羅意波長時, 電子的動量將發生量子化  勢阱中的能量分佈為非連續的而分裂成多個分立的能級 阱寬Lw愈小 ,則能級 (E0,E1)的能量就愈大 , 而且能量間 隔就大  阱寬愈大, Enz愈小 ,能級間距也變小 電子的單勢壘穿隧 能量為 E的電子沿 z 方向入射高度為Vo 若從經典力學的觀點看 ,如果EVo,不論Lb為何值,電子被全 部被反射回來 ,不可能穿透勢壘 但是按照量子力學理論 ,是可以穿透勢壘的 相干穿隧模型 將DBS看作電子波的一個共振腔 ,雙勢壘相當於半透射的反 射鏡 ,雙勢壘之間的勢阱相當於兩反射鏡之間的共振腔 ,電 子穿隧過程相當於光波進入諧振腔經多次反射後光強增強 最後透射出去的過程, 電子波 E進入勢阱後沿z方向運動到達收集勢壘CB,部分被 CB反射沿z方向又返回到EB,又有部分透射回到 E區 ,一部 分反射回到勢阱W,相當於在阱內的能級上電子在勢壘 EB 與 CB間振盪  如果 E=E0 接近共振隧穿發生 的條件 ,穿隧電流即達到共振 穿隧狀態 共振隧穿電子對DBS的透射率 T(E)隨能量 E變化,當 E=E0或 E=E1時 T(E)=1,發生共振穿隧 ,相應的穿隧電流達到最大 值。當能量E偏離 E0或 E1時 ,T(E) 迅速下降,穿隧電流也隨 之下降, 這是共振穿隧與非共振穿隧的主要區別 RTD之結構GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs ，AlAs形成位障 (barrier) ，中間之GaAs很薄時形成量子井 (quantum) well) ，存在許多不連續之能階， 工作原理  當電子被限制在量子井中，產生分立的能階  在零偏壓時，位障阻止電荷通過元件  隨著偏壓增加，井中能階不斷降低  若井中一個未占據態的能量處於源區導帶占據態的 能量範圍時，元件處於共振態，電流通過  I-V曲線出現負阻效應區 優點 負電阻共振穿透元件具有極快速之切換時間 、低消 耗功率 、以及可在高頻操作之優點，其工作頻率可 達700GHz以上，故在微波電路應用和高頻振盪器電 路上 應用 微波振盪器 Ideal oscillator Real oscillator RTD ~avoid the amplitude decay 參考文獻  新光電元件應用技術 作者：谷善 平 譯：白中和  半導體元件物理與製作技術，施敏著 .tw/EshareFile/2011_5/2011_5_29a6305c.doc  書: IC如何創新 The Quantum Dot 清華大學電機系教授李雅明/ 譯 感謝大家聆聽