全溶液制程之奈米金记忆体-科技部工程科技推展中心.PDFVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 全溶液製程之奈米金記憶體 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2221-E-390-014- 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年07月31日 執 行 單 位 ：國立高雄大學化學工程及材料工程學系 計 畫 主 持 人 ： 呂正傑 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：蕭安青 碩士班研究生-兼任助理人員：陳柏村 碩士班研究生-兼任助理人員：吳承軒 碩士班研究生-兼任助理人員：徐穎慧 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 處 理 方 式 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，2年後可公開查詢 中 華 民 國 100 年 10月 24 日 ■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 矽酸鉿薄膜應用於奈米晶體記憶體之研究 計畫類別：■個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 99-2221-E-390 -014 執行期間： 99年 8月 1日至 100年 7月 31日 執行單位：高雄大學化學工程及材料工程學系 計畫主持人：呂正傑 共同主持人： 計畫參與人員：蕭安青、吳承軒、徐穎慧、陳柏村 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 ■出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、列管計畫 及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年■二年後可公開查詢 中 華 民 國 100年 10月 19日 一、摘要 本計畫乃利用化學還原的方法製備出金與白金奈米粒子，並以自組裝方式將奈米粒子沈積在氧化 層上，再覆蓋上氧化層材料以完成奈米晶粒記憶體電容結構並探討其記憶特性。研究中奈米晶粒記憶 體電容結構以 SiO 為穿隧氧化層，接著沈積金或白金奈米粒子，最後覆蓋以溶凝膠法(sol-gel 法合成) 2 鍍覆之高介電氧化鉿作為控制氧化層。研究中也探討於沈積奈米粒子後，以及鍍製完 HfO2 控制氧化層 後，不同熱處理條件對記憶體特性的影響。由實驗結果可知，使用白金奈米粒子作為奈米晶粒記憶體 的補陷位置 (Trapped center)可比金奈米粒子儲存較多的電荷。依據本論文研究成果，選擇合適的記憶體 結構搭配適當的熱處理條件，可獲得電荷儲存力及保存力均佳的奈米晶粒記憶體。 關鍵字 : 金奈米粒子、白金奈米粒子、氧化鉿、高介電材料、奈米晶粒記憶體 二、前言 傳統浮動閘極記憶體由於材料與製程上的限制，在目前高密度要求下已出現許多電性上的缺點; 反觀奈米晶粒記憶體由於擁有可在較低的電壓下操作、快的元件操作速度與存取時間等優點，因此近 年被廣泛的研究與討論。隨著 metal-oxide-semiconductor(MOS) 元件密集度逐年升高與元件尺寸縮減， 為了維持元件正常運作，傳統 SiO閘極氧化層的厚度勢必愈來愈薄，此