内连接导线系统之可靠度—铜导线／低介电绝缘层 - 国家奈米元件实验室.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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内连接导线系统之可靠度—铜导线／低介电绝缘层 - 国家奈米元件实验室.PDF

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内连接导线系统之可靠度—铜导线／低介电绝缘层 - 国家奈米元件实验室

5 34 Reliability of Cu/ Low-k Interconnects 栢 Abstract Reliability characteristics of scaled copper/ low-k interconnect schemes, new developed test structures, and the related active degraded mechanisms are discussed in this letter. Metal reliability is assessed by studying electromigration (EM) and stressmigration (SM), while dielectric reliability is evaluated by time dependent dielectric breakdown (T DDB) and breakdown voltage. From a reliability standpoint, an improvement strategy is also proposed for a tight pitch copper/ low-k interconnects in this work. Keywords Reliability Interconnects Cu Low-k dielectric Electromigration Stressmigration T DDB Breakdown voltage. NANO COMMUNICATION 20No.1 35 k FSG ~ 3.5 k ~ 3.7 SiCOH ~ 3.0 3.0 Scaling