利用STM 和CV方法测定有机发光材料的能带参数 - 仪器信息网.PDF

第 27卷 　第 4 期 发 　光 　学 　报 Vol27 No4 2006年 8月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE A ug. , 2006 文章编号 : (2006) 利用 STM 和 CV方法测定有机发光材料的能带参数 付慧英 , 邱伟民, 蔡臻炜 , 肖　斐 , 邵丙铣 (复旦大学 材料科学系 , 上海 　200433) ( ) 摘要 : 利用扫描隧道显微镜 /扫描隧道谱 STM / STS 的技术 ,研究了有机发光材料 A lq 、D PN 2CN 和 DN P 3 2CN 的表面电子结构 。将材料 D PN 2CN 和 DN P2CN 的表面电子结构与 A lq 的表面电子结构进行对 比,判 3 ( ) ( ) 定了 D PN 2CN 和 DN P2CN 的最低空轨道 LUMO 能级 。通过电化学循环伏安 CV 法 ,对 D PN 2CN 和 DN P ( ) 2CN 的 LUMO 能级和最高 占有轨道 HOMO 能级进行了表征 。两种测试方法所得到的 LUMO 能级参数 基本一致 。 关 　键 　词 : 有机发光材料 ; 扫描隧道显微镜 ; 扫描隧道谱 ; 电化学 ; 循环伏安 中图分类号 : O646; TN 873. 3　　　PACC : 3250; 7860F　　　文献标识码 : A 压的变化 ,利用 IV 曲线或者 dI / dV 曲线 ,进而研 1　引　　言 [ 9 ] 究样 品表面 的电学特性 。本文 中的工作将 自从 1987年 C. W. Tang等人报道了高量子 STM / STS技术应用于研究有机发光材料 A lq 、 3 ( ) ( ) D PN 2CN 和 DN P2CN 的表面 电子结构 ,进而判 效率 1% 、高发光效率 1. 5 lm /W 、高发光亮 度 ( 1 000 cd /m2 )和低电压直流驱动 ( 10 V ) 定了材料 D PN 2CN 和 DN P2CN 的最低空轨道 双层结构的有机电致发光二极管以来 [ 1 ] , 因器件 (LUMO )能级 。并采用电化学循环伏安法测定了 的生产工艺简单 、能耗小 、成本低 、并可制成大面