双极结型三极管及放大电路基础 - 不再因为别人过得好而焦虑.PDF

第四章 双极结型三极管及放 大电路基础 2010年3月26日 1 §4-1 双极性结型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）常称为双极性结型晶体 管，简称晶体管或三极管，它的种类很多: 1. 按照频率分：有高频管、低频管； 2. 按照功率分：有小、中、大功率管； 3. 按照半导体材料分：有硅管、锗管等等。 4. 按类型分：BJT分成两种类型，NPN型和PNP型。 2 NPN型BJT结构 NPN型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的P型半导体(几微 米-几十微米) ，两边各为一块N型半导体。 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫做：发射 极e、基极b和集电极c ，对应的每块半导体称为发射区、基区和 集电区。 发射区比集电区掺的杂质多，集电区的面积比发射区的大，因 此它们不是对称的。 3 NPN型BJT结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就会形成PN结。 BJT有两个PN结：发射区与基区交界处的PN结称为发射结，集 电区与基区交界处的PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基 区联系。 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩散，获得P型 基区，再在P型半导体上光刻一窗口，进行高浓度的磷扩散，获 得N型发射区，表面是一层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电 极。 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。 4 PNP型BJT结构 PNP型BJT是由两个PN结的三层半导体制成的，不过PNP的中 间是N型半导体，两边是P型半导体。 NPN和PNP型BJT具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压 极性和电流流向不同。 5 BJT的电流分配与放大作用 为了能使发射区发射电子、集电区收集电子，必须具备的条件 是：发射结加正向电压(正向偏置) ，集电结加反向电压(反向偏 置) ，在这些外加电压的条件下，管内载流子的传输将发生下列 过程。 6 发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压，因此发射结势垒由V 减小到V -V ， o o EE 发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发 射极电流IE ，其方向与电子流动方向相反。 基区空穴也扩散到发射区，但由于发射区杂质浓度比基区高得 多(一般高几百倍) ，与电子流相比，这部分空穴流可忽略不计。 7 电子在基区中的扩散与复合 发射区的电子注入基区后，在基区靠近发射结的边界积累起 来，形成了浓度梯度，在发射结附近浓度最高，因此，电子就 要向集电结的方