双载子接面电晶体之直流偏压分析.PDF

雙載子接面電晶體之直流偏壓分析 概 述 為使電晶體能正常的工作，必須外加一些直流電壓以提供電晶體工作時所需之電源 ，此外加 入之直流電壓即稱為偏壓 。本章將討論如何對電晶體施與適當之偏壓 ，使其能產生電路所需 之電壓與電流 。 當對電晶體施予適當之偏壓後，再依其實際工作狀況，在輸出特性曲線上設定電晶體電路之 工作點 (Operation point) ，以獲得良好之交流特性 。當於電晶體之輸入端加入交流訊號後， 便以所設定之工作點為中心，配合外加負載而繪出之直流負載線 (DC load line) 後，便可以 分析電晶體之工作情況 ，以設計符合實際需要之電晶體放大電路。 本章先分析電晶體之直流偏壓原理後，再介紹各種電晶體之偏壓技術 ，最後再針對各種電晶 體直流偏壓技術之穩定度作詳細探討，使電晶體電路能確實發揮吾人所預期之功能，而盡量 減少環境變化之影響。 電晶體電路之直流分析 當對電晶體施予不同之直流偏壓會其使操作於順向活性區 ( 主動區 ) 、反向活性區 、截止區 與飽和區等四個不同工作區域，使電晶體可以提供電子電路各種不同應用。 當對電晶體施予適當偏壓後，首先分析操作於不同工作區之等效電路 ，接著再對用途最廣之 共射極電路組態進行直流分析。 接著以共射極組態為例，將電晶體操作於不同工作區之等效電路列述於后： 1. 截止區 ： 當電晶體操作於截止區時，因集極電流 I C 等於零 ，而僅基－射極有一微小之漏電流 I CBO 存在 ( I CBO 之典型值大約為幾奈安 ) ，故電晶體之三個端子皆可視為開路 。 2. 順向活性區 ： I I B C 當電晶體操作於順向活性區時，輸入端存在一順向偏壓 V ( 對 B C BE 矽質材料之電晶體而言，V 約為0.7V ) ；而輸出可視為一個受控之 V + β I B BE BE − 電流源 ，其大小為基極電流 I B 之 β 倍，而等效電路如右圖所示。E E 3. 飽和區 ： I I B C 當電晶體操作於飽和區時，基－射極間存在一順向偏壓 VBE B C