基于KH550-GO固态电解质中电容耦合作用的双侧栅IZO薄膜晶体管.PDF

基于KH550-GO固态电解质中电容耦合作用的双侧栅IZO薄膜晶体管 郭立强 温娟 程广贵 袁宁一 丁建宁 Dual in-plane-gate coupled IZO thin film transistor based on capacitive coupling effect in KH550-GO solidelectrolyte GuoLi-Qiang WenJuan ChengGuang-Gui YuanNing-Yi Ding Jian-Ning 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,178501(2016) DOI: 10.7498/aps.65.178501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.178501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I17 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理 Highpowermicrowavedamagemechanismonhighelectron mobility transistor 物理学报.2016,65(16): 168501 /10.7498/aps.65.168501 铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法 Extractionofdensityoflocalizedstatesinindiumzincoxide thin filmtransistor 物理学报.2016,65(12): 128501 /10.7498/aps.65.128501 退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响 EffectsofannealingtemperatureandGacontentonproperties of solution-processed InGaZnOthin film 物理学报.2016,65(12): 128502 /10.7498/aps.65.128502 AlGaN/GaN 双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管 Enhancement mode AlGaN/GaN double heterostructure high electron mobility transistor with F plasma treatment 物理学报.2016,65(3): 038501 /10.7498/aps.65.038501 内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善 Analysisofimprovedcharacteristicsofpentacenethin-filmtransistorwithanembeddedcopperoxidelayer 物理学报.2015,64(22): 228502 /10.7498/aps.64.228502 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 17 (2016) 178501 基于KH550-GO 固态电解质中电容耦合作用的 双侧栅IZO 薄膜晶体管 郭立强 温娟 程广贵 袁宁一 丁建宁 1) (江苏大学微纳米科学技术研究中心, 镇江 212013) 2)(常州大学, 江苏省光伏科学与工程协同创新中心, 常州 213164) ( 2016 年4 月25 日收到; 2016 年6 月16 日收到修改稿) 本文利用旋涂技术在氧化铟锡塑料衬底上, 制备了硅烷偶联剂(- 氨丙基三乙氧基硅烷)-氧化石墨烯固 态电解质; 以此固态电解质作为栅介质, 进一步研究了双侧栅耦合电场质子/ 电子杂化氧化铟锌薄膜晶体管的 电学特性. 研究发现- 氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固态电解质的双电层电容和质子电导率分别高达 2.03 F/cm 和6.99 10 S/cm; 由于-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯复合固态电解质具有较大的双 电层电容和质子电导率, 利用其作为栅介质的质子/ 电