实验一、二极体特性与整流电路.PDF

實驗一、二極體特性與整流電路 目的：學習半導體 pn 接面的原理，瞭解二極體特性。 原理： -10 原子的直徑約是數個 Å (10 m)，其 (圖一) 內有一 -15 體積很小 (10 m) 又佔幾乎全部質量的原子核，核 中有質子與中子，核外廣大空間分佈著電子 。雖然 原子內絕大部份的空間都給了電子，但對電子來說 空間還是太小了 ，以至於量子現象 (海森堡測不準原 理) 顯現出來，即我們無法知道電子在原子內的確切 位置，電子呈現一個分佈狀態 。這個分佈狀態是有 圖一、矽原子結構 規則的 ，它由內而外層層分佈，每層所能容納的電 子數是確定的 。電中性原子的電子數與核內質子數 相同，電子由內層軌域填起，內層填滿後再填外一 層，直到全部電子填完 。原子外的電子組態決定了 原子的化學性質，例如 He 、Ne 、Ar 等的電中性原子 是剛好填滿某層軌域，而 Li 、Na 、K 等的電中性原 子是最外層軌域只有一個電子。所有已填滿軌域的 電子都不會參與化學反應，只有未填滿的最外層軌 圖二、純矽半導體 域會有得到電子、失去電子或形成共價鍵等行為。 一般這些參與化學反應的外層電子被稱為價電子， 而內層電子與原子核被視為一永遠不變的核心。 半導體的導電性介於導體與絕緣體之間。圖二顯示 矽單晶半導體的結構，因矽有 4 個價電子，而其最 外層軌域填滿需要 8 個電子，因此每個矽原子都與 另外 4 個矽原子鍵結，形成空間網狀結構。純矽單 圖三、n 型半導體 晶中所有的電子都鍵結了，最外層軌域也呈填滿狀 態，因此幾乎就是絕緣體。當參雜了一個 5 價原子 (如圖三所示) ，就會出現一個準自由電子，若參雜的 是 3 價原子 (如圖四所示) ，則會出現一個導電電洞。 實際金屬每個原子約有一個自由電子，純矽單晶約 1010 個原子有一個導電電子，若參雜 5 價原子的量是 4 萬分之一，就變成約 10 個原子有一個導電電子，可 知極低量的參雜也會使矽單晶的導電性大增。 圖四、p 型半導體 1 參雜 5 價原子的半導體是帶負電的電子導電，故稱 為 n 型半導體，參雜 3 價原子的半導體是代正電的 電洞導電，故稱為 p 型半導體。兩型半導體連接在 一起時，其交接面稱為pn 接面，此接面有電流單向 導通的特性，此即二極體的原理。p 型半導體可視為 帶負電的固定離子晶格中有帶正電的電洞自由移 動，n 型半導體可視為帶正電的固定離子晶格中有帶 負電的電子自由移動。圖五 a 是兩型半導體剛接上的 一剎那，接面附近的電子與電洞會向接面的另一區 域擴散，電子會填入電洞一起消失。極短的時間內 pn 接面就會達成如圖五 b 的平衡狀態，接面附近出 現一個沒有電子與電洞的區域，稱為空乏區。在空 乏區內固定在晶格上不能移動的正負離子形成了一 圖五、pn 接面 個電位差阻止了電子與電動繼續的擴散。Ge 半導體 的pn 接面電位差是 0.2～0.3 V ，Si 半導體的pn 接面 電位差是 0.6～0.7 V 。 pn 接面外接電壓如圖六 a 稱為順向偏壓，若外接電 壓超過 pn 接面電位差 pn 接面就會被導通，電子會 由電池的負極流出經導線流入 n 型半導體再越過pn 接面填入電洞，p 型半導體則會施放出電子進入導線 中流回電池正極。pn 接面外接電壓如圖六 b 稱為逆 向偏壓，pn 接面電位差會變大 ，空乏區會被拉的更 大，不過此時還是會有極微小的電流由 n 極流向 p 極，稱為漏電流。逆向偏壓如果過大時，這漏電流 的少數載子會有足夠的能量破壞共價鍵產生大量的 電子與電洞，電流會突然暴增，此現象稱為崩潰 (Breakdown) 。過大的電流會使二極體燒毀。 圖六、pn 接面順