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宽带、高功率产品
适合超宽波段应用的 GaN HEMT 封装晶体管、
品 GaN HEMT 芯片、微波集成电路 (MMIC)
产 和开关器件 GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管) 器件是超宽带放
大器应用的理想选择。它所具有的高功率密度、低寄生和
高特征频率 (F ) 等内在特性可以实现瞬时带宽放大器的多
率 T
倍频程。该系列产品包含各种封装的未匹配分立晶体管，
输出功率在 28 V 电压时为 6 W 到 180 W (CW) 之间；封装
功 型 50 欧姆微波集成电路 (MMIC) 放大器适合 28 V 或 50 V
工作电压下的 DC-6 GHz 应用。这个产品组合还包括专为
高 混合放大器和多功能传输/接收模块设计的分立器件裸芯片
和 MMIC 裸芯片。
、
带 GaN 选型指南
输出功率 工作频率 裸芯片 晶体管 宽带参考设计 GaN MMIC
6 W DC - 6.0 GHz CGH60008D CGH40006P / S 1.0 - 6.0 GHz CMP
宽 10 W DC - 6.0 GHz CGH60015D CGH40010F / P - -
CMPA2560025
25 W DC - 6.0 GHz CGH60030D CGH40025F / P -
CMPA0060025
35 W DC - 4.0 GHz - CGH40035F - -
45 W DC - 4.0 GHz CGH60060D CGH40045F - -
90 W DC - 4.0 GHz - CGH40090PP 0.5 - 2.5 GHz -
120 W DC - 2.5 GHz CGH60120D CGH40120F - -
180 W DC - 2.5 GHz - CGH40180PP - -
90W G a N HEMT
90W G a N HEMT
CGH40090PP –
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