射频磁控溅镀法制备Bi4-xLaxTi3-yVyO12(BLTV)铁电薄膜及特性研究.PDF

射頻磁控濺鍍法製備 Bi La Ti V O (BLTV)鐵電薄膜及特性研究 4-x x 3-y y 12 吳光耀 1 吳柏宗 2 蔡宗鳴 1 鄭建民 *2 陳開煌 3 1 2 3 國立中山大學材料與光電科學學系 南台科技大學電子工程學系 東方技術學院電子與資訊學系 (NSC99-2221-E-272-003) 非揮發性與揮發性的記憶體中，高密度非揮發性記憶體元件的非破壞性讀取特性將是一項 非常重要的特性，本研究利用射頻磁控濺鍍法沉Bi La Ti V O (BLTV)鐵電薄膜於 SiO /Si 基 3.9 0.1 2.9 0.1 12 2 板形成金屬/鐵電 /絕緣層 / 半導體(MFIS)與金屬/鐵電 /金屬(MFM)結構。對其電性、物性作分析。 藉由不同濺鍍參數，如氧氣濃度、濺鍍功率的改變，探討濺鍍參數對鐵電薄膜的影響，以獲得最 佳濺鍍參數。並將最佳濺鍍條件之薄膜以快速熱退火 (RTA)和傳統爐退火 (CTA)進行熱處理，以 提升 BLTV 薄膜之鐵電特性。在物性研究方面，藉由SEM 、XRD 等儀器分析薄膜的表面型態、結 晶性與粗糙度。在電特性分析方面，採用阻抗分析儀 HP4294A 、半導體參數分析儀HP4156C分別 來量測 BLTV 薄膜的電容對電壓(C-V)特性、電流密度對電場(J-V)特性。由實驗結果得知，在最 佳濺鍍參數條件下，也就是氧濃度 40% ，功率100w時，薄膜之電容值為 178pF 、記憶視窗為4V與 外加電場 0.6MV/cm下的漏電流大小為 4.23 × 10-11A/cm2 。此外，BLTV 薄膜經過通氧快速熱退火 (RTA) 750℃持溫1分鐘處理後，將有效地提升薄膜之鐵電特性，其電容值為276pF 、記憶視窗為 -9 2 3V與外加電場0.6MV/cm下的漏電流大小為 1.70 × 10 A/cm 。 關鍵字：非揮發性記憶體、鐵電薄膜、記憶窗口、電滯曲線、射頻磁控濺鍍法 1. 前言 本實驗採用射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering) 在矽基板上沈積鐵電薄膜，濺鍍靶材之製作採傳統的陶瓷粉 科技進步如飛，電子產品的便利使的人與人之間的距 末製程，其流程如圖2-1所示。自製靶材以傳統固態燒結製程 裡不再是問題，而電子產品也已成為生活中不可或缺的物 技術採用Bi O 、La O 、TiO 、V O (99.8% 純度)作為原始 2 3 2 3 2 2 5 品，因此在現今這個時間就是金錢的時代，產品的大小及功 粉末，壓製成Bi La Ti V O 的比例靶材。首先計算與 3.9 0.1 2.9 0.1 15 能亙是影響到它的價值，所以高工作效率及電路高集積度更 調配粉末所需要的重量與莫數將粉末之後，球磨二小時，使 是發展的重點。為了各