晶体硅太阳能电池发射极形成的若干方法.PDFVIP

Jan Bultman, Ilkay Cesar, Bart 晶体硅太阳能电池发射 Geerligs, Yuji Komatsu Wim Sinke, ECN Solar Energy, Petten, 极形成的若干方法 荷兰 此技术文章节选自第八期印刷版《Photovoltaics International》季刊 摘要： 晶硅太阳能电池的核心组成部分是发射极，即p-n结。大部分硅电池的生产通过采用单步高温扩散工艺来实现对硅 晶格的掺杂。本文详细介绍了该扩散工艺的特性及工艺过程中所涉及到的变量，试图通过对这些变量的研究对发射极 工艺进行优化。此外，还介绍了其他制作发射极的技术，以期实现太阳能电池效率的最大化。 发射极的基本特性及优质发 结外，还有一种被称为异质结的电荷 中，“发射极”、“基极”和“集电 射极的性能需求 界面，在这种结中，两种不同的半导 极”指的是几个不同的器件区域。 体材料，例如晶体硅和非晶硅被结合 目前，大多数商业化晶硅太阳能 理想情况下 在一起。 电池采用p型硅作为基底硅片，但以 太阳能电池工作的基本原理是光 与电子-空穴对产生相反的过程是 n型硅作为基底硅片的太阳能电池现 吸收后产生电子-空穴对，电子和空 复合。当硅吸收光并产生过量的电子- 在也受到了人们越来越多的关注。究 穴扩散或漂移到相应的电荷选择界面 空穴对时，即会偏离热平衡方程，这 其原因还是由于：与p型硅相比，n型 处，再在界面处分开成为正电荷或负 将会导致净复合的发生。电子和空穴 硅具有硼氧复合结构且对杂质的敏感 电荷（即收集过程，见图1）。电荷的 在到达p-n结之前即发生复合，阻止了 度较低，它的光致引发衰退现象较不 收集导致界面两端形成电势差，也就 电子-空穴地分离，进而导致输出电流 明显。此外，整个制造过程对于p-n 是我们所说的电池电压。当外接电路 的下降。复合的另一个不利影响是会 结是否要置于电池前表面以及是否应 时，电荷将会流动形成通路，从而产 降低输出电压，本文将在随后详细探 采用平面结构等并无具体要求。一个 生电流。 讨此效应。因此，太阳能电池的制造 最典型的相关例子就是背接触式太阳 就电池的实际应用而言，最重要 和设计的精髓就在于如何减少复合， 能电池。在这种电池结构中，p-n结 的参数莫过于电池的输出功率，也就 同时加大电子、空穴被分离和收集的 是以重掺杂区的形式存在于器件背 是电池的电压和电流。电子-空穴可能 机率。 面。此种电池又被称为交叉背接触式 会被束缚成对（产生激子），也可能 晶硅太阳能电池最常用的结构是 (Interdigitated Back Contact，简 会被单独分开，这种特性会导致不同 平面型二极管（如图2）。在这种结构 称IBC)太阳能电池，由SunPower公司 的器件，设计要求大大不同。在晶体 中，中等掺杂浓度的p型或n型硅片前 研发并已经实现商业化生产。 硅太阳能电池中，通常电子-空穴对 表面沉积覆盖有一层薄薄的、极性相 在目前的标准工艺中，发射极 是不受束缚的，这意味着所产生的电 反、重掺杂的n+或者p+型硅，这一重 是通过高温扩散工艺将n型杂质(磷) 子和空穴能够独立地移动。用作电荷 掺杂区域通常被称为发射极，而中等 掺杂至含硼的p型硅表面。由于所掺