铝硅与铝碳纤维封装材料的热压制备及性能研究.pdf

铝硅与铝碳纤维封装材料的热压制备及性能研究 摘 要 随着电子元器件与其封装技术的发展，相应地对电子封装材料的性能也提 出了更高的要求。SiAl 合金、Al/Cf 复合材料不仅具有与芯片材料（硅、砷化镓） 相似的高热传导率、低热膨胀系数，且材料密度都较低，是有良好应用前景的 电子封装材料。 本文首先对硅铝电子封装材料进行了系统的研究，主要包括硅含量、热等 静压和烧结工艺等因素对硅铝合金性能的影响，通过对合金材料的密度、热学 性能和力学性能，以及对合金材料金相组织、X 射线衍射图谱和断面扫描照片 的研究，分析讨论得到如下结论： 1)随着硅含量的增加，硅铝合金的密度逐渐变小、热膨胀系数变小、热导率 增加；力学性能方面主要体现在抗弯强度和硬度的变化，随着硅含量的增加硅 铝合金的抗弯强度逐渐变小，而硬度则是逐渐变大的。分析试验数据后发现， 50%SiAl 合金材料的性能就能满足实际电子封装的需求，硅含量高于 50% 的合 金虽然密度更小，性能更好，考虑到制备难度与制备成本，本文选择 50%SiAl 合金作为研究烧结工艺的对象。 2) 硅铝合金经过热等静压后密度有所提高，材料的热膨胀系数、热导率等 热学性能也随之升高；与此同时材料的抗弯强度与硬度也有不同程度的提高。 3)通过对 50%SiAl 合金烧结工艺的研究，得到最佳烧结工艺参数：温度 800 ，热压压力℃ 100MPa，烧结时间 2 个小时。获得的合金经过热等静压后材 料的相对密度达到 99% ，热膨胀系数达到9.3×10-6/K ，热导率为 142 W/m·K，抗 弯强度223MPa ，硬度 153HB，能很好的满足电子封装性能要求。 其次，本文还对另一种复合材料Al/Cf 进行了研究，得到如下结果： 1)用电镀的方法对碳纤维表面进行处理，通过对镀层 X 射线衍射图谱和扫 描电镜照片分析，可以清楚的看出碳纤维表面均匀、致密地附着一层 2.5µm 厚 的镀铜层，该厚度镀层足够阻止铝与碳纤维界面之间的有害反应。 2)通过对 50%Al/Cf 复合材料烧结工艺的研究，获得了其最佳烧结工艺，即 温度 800 ，压力℃ 30MPa ，烧结 1 小时。得到相对密度 96.5% ，硬度56HB ，热 导率203W/m·K 性能优良的电子封装材料。 关键词：热压；封装材料；铝硅合金；铝碳纤维复合材料；致密化；热导 ABSTRACT Preparation and Characterization of SiAl and Al/Cf Electronic Packaging Materials by Hot-pressing Process With the development of electronic components and the packaging technology, higher requests are put forward for the corresponding electronic packaging materials. Si-Al alloys and Al/Cf composite materials not only have the high heat conductivity, low thermal expansion coefficient similar with the chip material (silicon, gallium arsenide), but also low density. The composite materials have a good application prospect in the field of electronic packaging materials. In this dissertation, silicon aluminum alloys were studied systematically, and several influenci